DRAM-EDA365

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直接总线式DRAM的信号连接

Direct Rambus DRAM的信号连接关系如图所示.与DDR-SDRAM最大的不同在于信号线是漏极开路输出以及时钟是以连续不断的方式往复的.图 Direct Rambus DRAM的信号连接关系异步DRAM.同步DRAM以及DD...

嵌入式开发

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发布时间：2020-06-13

次世代内存为何成为先进SoC设计的主流

经过十多年的沉潜.次世代内存的产品.包含FRAM(铁电内存).MRAM(磁阻式随机存取内存)和RRAM(可变电阻式内存).在物联网与智能应用的推动下.开始找到利基市场.2017年5月.台积电技术长孙元成首次在其技术论坛上....

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发布时间：2020-06-13

期待冰融春暖回顾2008年DRAM产业大事

回顾2008年.全球DRAM产业面临到严重供过于求与产业结构的问题.上半年时8吋厂陆续投入非DRAM商品.加速8吋厂转型并全力转进12吋厂降低DRAM颗粒成本.并宣示明年导入50奈米的走向不变.此时DRAM业界仍普遍相信景气回...

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DRAM
回顾

发布时间：2020-06-13

反垄断审查三巨头中国存储需警惕[逆周期"扩张

本报记者陈宝亮北京报道导读需要指出的是.美国司法部对DRAM价格垄断的罚款为销售收入的20%,而相比之下.国内近年来对诸如浙江保险等价格垄断案件处罚比例仅为销售收入的1%. 因持续涨价被终端厂商投...

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存储
DRAM

发布时间：2020-06-12

新式DRAM存取技术倍增超频性能

微处理器的频率频率可以透过许多方式大幅增加.但却受限于主存储器的性能而必须降低其频率频率来维持计算机系统的稳定性.本文透过对于静态随机存取内存(SRAM)单元缩减布局面积的研究.提出一种新的存取技术.可望提...

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发布时间：2020-06-12

新兴内存百家争鸣商品化脚步稳健向前

内存是半导体的主力产品之一.目前主要由动态随机存取内存(DRAM)及具备非挥发特性的NAND闪存(Flash)为最重要的两项产品. 不过.由于DRAM必须持续上电才能保存数据.NAND Flash又有读写速度较DRAM慢.且读写次数相对...

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内存
DRAM

发布时间：2020-06-12

Marvell推出用于DRAM-less PCIe3.0x2 SSD的NVMe控制器

Marvell最近推出了一款全新的低成本小尺寸SSD控制器88NV1160.该芯片可用于设计以M.2和BGA封装的小尺寸SSD.88NV1160支持当今和未来各种类型的NAND闪存.LDPC纠错功能.NVMe协议和当今SSD控制器的其他各种特性.无需...

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DRAM
Marvell

发布时间：2020-06-12

日本韩国扩大DRAM生产 DDR3涨势受阻

消息指出.韩国DRAM大厂三星(Samsung).海力士(Hynix)计划本月底大幅提高DDR3产能.此动作恐削缓目前DDR3供不应求的力道.短期价格上涨恐出现阻力.使得上周五最新现货报价已落破2美元. 此外.日本大厂尔必...

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发布时间：2020-06-12

解读不同的存取技术对于DRAM在进行实体设计时所发生的改变

本文讨论不同的存取技术对于DRAM在进行实体设计时所发生的改变.尤其是指由1晶体管+1电容器组成的储存单元--DRAM的最小存储单位.不同的存取技术对于动态随机存取内存(DRAM)在进行实体设计时将发生什么改变?当动态...

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DRAM

发布时间：2020-06-12

说好碾压SSD降价呢?Intel Optane硬盘无限延期

Optane是Intel近年来攒出的称得上黑科技的成果.也是明年初发布的200系主板为数不多的新功能亮点.Optane基于Intel.美光联合开发的3D Xpoint技术.前者是Intel的商用名(美光叫QuantX).理论性能上.3D Xpoint闪存...

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DRAM
硬盘

发布时间：2020-06-12

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