FlaSh-EDA365

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各变量在MCU中的存放位置ram or flash

闲来无事.研究了下变量在MCU中存储位置ps:MCU中能存放数据的地方有三处:register.rom.ram涉及标准C关键字:register:定义和申请一个register级变量 auto::定义自动变量.缺省时为...

技术百科

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发布时间：2020-06-08

对Nand Flash的操作(S3C2440)

Nand Flash的概述nandflash主要以page(页)为单位进行读写.以block(块)为单位进行擦除.每一页中又分为main区和spare区.main区用于正常数据的存储.spare区用于存储一些附加信息.如块好坏的标记.块的逻辑地址...

单片机程序设计

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发布时间：2020-06-06

对S3C2440读取NAND Flash的总结

在网上找了一些资料.又结合自己的经历谈一下我对NAND Flash 的了解.S3C2440 板的Nand Flash 支持由两部分组成:Nand Flash 控制器(集成在S3C2440 CPU)和Nand Flash 存储芯片(K9F1208U0B)两大部分组成.当要访问Nan...

单片机程序设计

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发布时间：2020-06-06

单片机里EEPROM与flash有什么区别?

flash是用来存储代码的.在运行过程中不能改,EEPROM是用来保存用户数据.运行过程中可以改变.比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为12:00.后来在运行中改为6:00.这是保存在EEPROM里.不怕掉电.就算重新上电也不...

技术百科

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发布时间：2020-06-06

STM32之SPI_FLASH(实例)

本实例用的是STM32F103VET6平台,它有3个SPI接口(这里使用SPI1),各信号线连接到FLASH(型号:W25X16)的CS,CLK,DO,DIO线,以实现SPI通讯,对FLASH进行读写. (这里采用主模式,全双工通讯,通过查询发送数据寄存器和接收数据...

单片机程序设计

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发布时间：2020-06-06

STM32----FLASH掉电保存动态平衡方案

stm32是支持对自身Flash(code区)进行读写的.所以.在某些需要掉电保存的场合.我们可以利用这一特性节省一个外部的Flash或者EEPROM.对数据进行保存. 但是.如果需要经常性的保存数据.就会对固定地址的Flas...

单片机程序设计

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发布时间：2020-06-06

SST25VF080B SPI接口FLASH STM32驱动

所有的FLASHA 都一样只能从1变0.要想从0变1 只有擦除一个页扇. SST25VF080B 最小可以擦除4KB的页速度也不错 50MHz 容量1MB 挺够用的 10万次的擦写寿命.最低2.7V 就可正常工作.Flexible Erase Capability– Unifo...

单片机程序设计

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发布时间：2020-06-06

单片机FLASH与RAM.ROM的关系

FLASH主要用作程序存贮器.就是替代以前的ROM.最大的有有点是降低了芯片的成本并且可以做到电擦写.目前市场上单片机的FALSH寿命相差比较大.擦写次数从1000~10万的都有.但存储时间可以保证40年.在选用时要注意....

技术百科

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发布时间：2020-06-06

mini2440硬件篇之Nand Flash

1. 硬件原理Nand Flash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用.相对于Nor Flash.它具有一些优势.但它的一个劣势是很容易产生坏块.因此在使用Nand Flash时.往往要利用校验算法发现坏块并标注出来.以便以后不再...

单片机程序设计

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发布时间：2020-06-06

mini2440硬件篇之Nor Flash

硬件原理1.1. Nor Flash简介NOR Flash是Intel在1988年推出的一款商业性闪存芯片.它需要很长的时间进行抹写.大半生它能够提供完整的寻址与数据总线.并允许随机存取存储器上的任何区域.而且它可以忍受一万次到一百...

单片机程序设计

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发布时间：2020-06-06

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