MOS-EDA365

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DC-DC电路当中同步与非同步的差异讲解

在开关电源电路设计当中.电流的转换分为很多种.其中直流转换是较常见的一种设计.通常称为DC-DC转换.是指将一个电压值转化为另一个电压值电能的装置.直流转换设计在开关电源当中非常常见.也是新手接触比较多一...

模拟电路设计

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发布时间：2020-11-10

MOS管工作动画原理图详解

绝缘型场效应管的栅极与源极.栅极和漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离.因此而得名.又因栅极为金属铝.故又称为MOS管.它的栅极-源极之间的电阻比结型场效应管大得多.可达1010Ω以上.还因为它比结型场效应管温度稳定...

驱动

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MOS
夹断电压

发布时间：2020-11-04

一种简单的防短路保护方法

简介:注释:静电损坏器件是击穿.和烧毁是两个概念.不要混淆在一起.前段时间开发了一个产品.由单片机控制对负载供电.满负载时基准电流为800毫安.程序提供不同的供电模式.具体是由单片机输出一个PWM信号控制MO...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-08

到底什么是fmax讲解

简介: 今天一个刚刚入行的朋友找到我说.他的老板给了他一个MOS管让他测管子的fmax,帮他测完之后.他还问到怎么才能加大这个fmax~~想到自己也曾千辛万苦的琢磨这个参数.就写个短短的文章说一下fmax到底是什么和哪...

模拟电路设计

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MOS
FMAX

发布时间：2020-07-08

CMOS电路ESD保护结构设计

1引言静电放电会给电子器件带来破坏性的后果.它是造成集成电路失效的主要原因之一.随着集成电路工艺不断发展.CMOS电路的特征尺寸不断缩小.管子的栅氧厚度越来越薄.芯片的面积规模越来越大.MOS管能承受的电流和...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-08

LED驱动设计小Tips:不可不知的5大关键点

1.芯片发热这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片.假如芯片消耗的电流为2mA.300V的电压加在芯片上面.芯片的功耗为0.6W.当然会引起芯片的发热.驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗.简单的计算公式...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-08

一种简单的防短路的保护方法

前段时间开发了一个产品.由单片机控制对负载供电.满负载时基准电流为800毫安.程序提供不同的供电模式.具体是由单片机输出一个PWM信号控制MOS管.从而按要求调整工作电流.我们知道MOS管导通时内阻非常小.我们所...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-08

怎样正确使用MOS 集成电路

所有MOS集成电路(包括P沟道MOS.N沟道MOS.互补MOS-CMOS集成电路)都有一层绝缘栅.以防止电压击穿.一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是25nm50nm80nm三种.在集成电路高阻抗栅前面还有电阻--二极管网络进行保护.虽...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-08

MOSEFT分析:理解功率MOSFET的开关损耗

本文详细分析计算开关损耗.并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程.从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并更加深入理解MOSFET. MOSFET开关损耗 1 开通过程中MOSFET开关损耗 ...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

瑞萨电子高压MOS在进行产品开发时的注意要点

本文主要介绍瑞萨电子(又称:Renesas注1)高压MOS在客户电源等产品开发时的选型以及特性的说明.为客户的产品开发提供参考性的设计意见. MOSFET以其电压控制.开关频率高.开关速度快等优点.广泛应用于电源等产...

分离器件设计

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MOS

发布时间：2020-06-29

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第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

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