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导入栅极屏蔽结构 沟槽式MOSFET功耗锐减

 更高系统效率和功率密度.是现今数据和电信电源系统设计的首要目标.为达此一目的.半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET).可显著降低全负载及轻负载时的功率...
发布时间：2020-12-21

MagnaChip推出无线耳机充电保护的MOSFET

 MagnaChip宣布.公司推出一种新的用于无线耳机的MOSFET.以防止电池过度充电.该MOSFET旨在控制充电电池时流入无线耳机的过多电流.以保护无线耳机免受损坏.据该公司称.无线耳机市场规模可能从2019年的1.2亿台跃升...
发布时间：2020-12-18

如何确保MOS管工作在安全区

 电源工程师最怕什么?炸机!用着用着就坏了.莫名其妙MOS管就炸了.真是又怕又恨.可到底是哪里出问题了呢?这一切都和SOA相关. 我...
发布时间：2020-12-15

功率因数校正最佳策略:如何选取合适的MOSFET?

 导读:近年来.随着汽车.通信.能源.绿色工业等大量使用MOSFET的 行业的快速发展.功率MOSFET备受关注.MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中.对于工业市场而言.较高的电流会增加系统中的能量损耗.举例对...
发布时间：2020-12-15

MOSFET芯片需求加剧 缺货之势持续蔓延

 ?势汹汹.看着突然实则必然.毕竟消费电子的更新迭代速度加快以及新能源汽车飞速发展已成必然之势.BAIDU_CLB_fillSlot("557705"); 2017年第三季度至今.受产能供需吃紧的影响.大部分被动元件出现缺货潮.其中以...
发布时间：2020-12-14

Littelfuse在2018年APEC大会上推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET

 全球电路保护领域的领先企业Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET.为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜...
发布时间：2020-12-14

计算MOSFET非线性电容

 最初为高压器件开发的超级结MOSFET.电荷平衡现在正向低压器件扩展.虽然这极大地降低了RDS(ON) 和结电容.但电荷平衡使后者非线性进一步加大.MOSFET有效储存电荷和能量减少.而且显著减少.但计算或比较不同MO...
发布时间：2020-12-09

意法半导体推出离线转换器 提高5-30V电源的雪崩耐量.能效和灵活性

 意法半导体的VIPer11离线转换器内置800V耐雪崩MOSFET.可帮助设备制造商设计更耐用的辅助电源和电源适配器.其26Vdc漏极启动电压允许超宽的线路输入电压.并提高诸多消费和工业电源的灵活性....
发布时间：2020-12-09

IGBT扫盲文.IGBT基础与运用知识学习

 IGBT基础与运用 IGBT. 中文名字为绝缘栅双极型晶体管.它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件.既有MOSFE...
发布时间：2020-12-09

常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总

 MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构.直流电不能通过.因而低频的表态驱动功率接近于零.但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs.因而在高频率的交替开通和需要...
发布时间：2020-12-08
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