MOSFET-EDA365

研发资源 > 标签 > MOSFET

MOSFET雪崩能量的应用考虑

在功率MOSFET的数据表中.通常包括单脉冲雪崩能量EAS.雪崩电流IAR.重复脉冲雪崩能量EAR等参数.而许多电子工程师在设计电源系统的过程中.很少考虑到这些参数与电源系统的应用有什么样的联系.如何在实际的应用中...

分离器件设计

|

发布时间：2020-06-29

计算大功率电源中MOSFET的功率耗散

也许便携式电源设计工程师所面临的最大挑战在于向现代高性能CPU供电.最近.CPU供电电流每两年翻一倍.事实上.当今的便携式内核电源要求电流达到 40A.电压在0.9V至1.75V之间.但一方面电流要求持续增加.提供电源...

分离器件设计

|

发布时间：2020-06-29

为同步整流选择最优化的MOSFET

中心议题:同步整流基础知识优化同步整流MOSFET解决方案:确定优化MOSFET的负载电流借助四象限SR器件优化表选择MOSFET1. 引言电源转换器的封装密度日益提高和节能标准越来越严格.要求不断提高电源级的能效.隔离式...

分离器件设计

|

发布时间：2020-06-29

功率MOSFET抗SEB能力的二维数值模拟

1 引言功率VDMOSFET晶体管以其开关速度快.输入电阻高.频率特性好.驱动能力高.跨导线性度高等特点.广泛应用在空间系统的电源电路中.但它在空间辐射环境中极易被重离子诱发SEB.造成功率变换器或电源电压的...

分离器件设计

|

发布时间：2020-06-29

MOSFET门极驱动电压的优化

在同步降压电源应用中,降低MOSFET导通电阻对同步整流器而言十分关键,因为多数情况下,快速恢复式整流电流通过MOSFET通道电阻所造成的功率损耗是总功耗中最大的一部分.然而,其他一些因素也不容忽视. ---较高的门...

分离器件设计

|

发布时间：2020-06-29

Power Trench MOSFET让更高功率密度成可能

引言对于现代的数据与电信电源系统.更高的系统效率和功率密度已成为核心焦点.因为小型高效的电源系统意味着节省空间和电费账单.从拓扑的角度来看.同步整流器的传导损耗和开关损耗都更低.能够提高这些转换级的效...

分离器件设计

|

发布时间：2020-06-29

Fairchild新的扩展温度中压MOSFET额定结温为175° C

30V至150V漏源击穿电压的19款新MOSFET可将功率密度提高达85%,可靠性比额定结温为150° C业内标准值的MOSFET高三倍. 美国加州圣何塞 – 2015 年 3 月 18日 -全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (...

分离器件设计

|

发布时间：2020-06-29

ROHM成为首家量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

导通电阻大大降低.有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化半导体制造商ROHM近日于世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET.并已建立起了完备的量产体制.与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比.同一...

分离器件设计

|

发布时间：2020-06-29

MOSFET驱动电路类型的研究与测试

高频开关电源因采用脉冲宽度调制(PWM)技术.脉冲波形呈矩形.开关管上升沿与下降沿均包含大量的谐波成分,另外.输出整流管的反向恢复也会产生电磁干扰.开关频率的提高减小了电源的体积和重量.但同时也导致了更为...

分离器件设计

|

发布时间：2020-06-29

美高森美宣布推出专门用于SiC MOSFET技术的极低电感SP6LI封装

致力于在功耗.安全.可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation.纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 发布专门用于高电流.低导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率...

分离器件设计

|

发布时间：2020-06-29

首页上一页 28 29 30 31 32 33 34 下一页尾页

EITIA线上云展+电子互连技术公开课正式启动！提前报名畅享三重好礼！

EITIA线上云展+电子互连技术公开课正式启动！提前报名畅享三重好礼！

|相关标签

|热门文章

美高森美宣布推出专门用于SiC MOSFET技术的极低电感SP6LI封装

IR推出增强型25V及30V MOSFET

三相正弦波逆变器瞬态的共同导通问题设计方案

研诺推出同类中阻抗最低的半桥MOSFET

IR 拓展坚固可靠、系统可扩展的车用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列