MOSFET-EDA365

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一种反激变换器的RCD吸收回路设计与实现

当MOSFET关断时.就会有一个高压尖刺出现在其漏极上.这是由于主变压器的漏感和MOSFET输出电容谐振造成的.在漏极上过高的电压可能会击穿MOSFET.为此就必须增加一个附加电路来钳制这个电压.在此技术范围.我们介绍...

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发布时间：2020-06-18

使用功率MOSFET封装技术解决计算应用的高功耗问题

对于主板设计师来说.要设计处理器电压调节模块(VRM)来满足计算机处理器永无止境的功率需求实在是个大挑战.Pentium 4处理器要求VRM提供的电流提高了约3倍.英特尔将其VRM指标从8.4版本升级到9.0版本.涵盖了新的功...

嵌入式开发

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发布时间：2020-06-18

MAX5054-MAX5057双.高速MOSFET驱动器

概述 MAX5054-MAX5057双.高速MOSFET驱动器可供出和吸收高达4A的峰值电流.这些器件具有20ns的快速传输延迟以及驱动5000pF容性负载时20ns的上升和下降时间.传输延迟降到最低.并且在反相和同相输入之间以及两个...

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发布时间：2020-06-18

Vishay推出新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET

日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET功率MOSFET.Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高...

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MOSFET
TrenchFET

发布时间：2020-06-18

德州仪器推出 40V 至 100V NexFET MOSFET

德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET.其支持 40V 至 100V 输入电压.进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品阵营.高效率 NexFET 包括 40V.60V.80V 以及 100V N 通道器件.可为广泛大...

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MOSFET
TPS40170

发布时间：2020-06-18

针对应用选择正确的MOSFET驱动器

目前.现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多.这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程. 从功能上讲.MOSFET驱动器将逻辑信号转变成较高的电压和电流.以很短的响应时间驱动MOSFET栅极的开和关.例如...

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发布时间：2020-06-18

Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET

近日.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出第四代600V E系列功率MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E.Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%.为通信....

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发布时间：2020-06-18

介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路

MOSFET因导通内阻低.开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中.MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路.下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路.在使用MOSFET设计开关电源时.大部分人都会考虑...

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发布时间：2020-06-18

东芝推出采用新型封装的汽车用40V N沟道功率MOSFET

东芝已推出两款采用小型低电阻SOP Advance (WF)封装的新MOSFET产品--[TPHR7904PB"和[TPH1R104PB".这两款产品是汽车用40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品.批量生产即日启动.这两款新MOSFET产品采用最新第九代U-MOS...

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发布时间：2020-06-18

英飞凌推出高性能金属氧化物半导体场效应晶体管

19日在中国国际电源展览会上.英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)600V CoolMOS™ C6系列.有了600V CoolMOS™ C6系列器件.诸如PFC(功率因数校正)级或PWM(脉宽调制)级等能...

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发布时间：2020-06-18

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