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大联大品佳集团推出Infineon 1200V碳化硅MOSFET

2018年4月10日.致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布.其旗下品佳代理的英飞凌(Infineon)推出革命性的1200V SiC MOSFET.使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平.它们将有...

半导体生产

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发布时间：2020-06-02

600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET将性能提升到全新水准

凭借600 V CoolMOS™ CFD7.英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出最新的高压超结MOSFET技术.该600 V CoolMOS™ CFD7是CoolMOS 7系列的新成员.这款全新MOSFET满足了高功率SMPS市场对谐振拓扑的...

半导体生产

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发布时间：2020-06-02

IR推出增强型25V及30V MOSFET

国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 推出一系列新型的25V及30V N-通道沟道HEXFET功率MOSFET.它们针对同步降压转换器及电池保护增强了转换效能.适用于消费者和网络方面的计算机运算应用. 这个...

半导体生产

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MOSFET
IR

发布时间：2020-06-02

飞兆半导体推出具有业界最低RDS(ON)MOSFET

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 为便携应用的设计人员带来具有业界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件.FDMA6023PZT是采用紧凑.薄型封装的双P沟道MOSFET.能够满足便携设计的...

半导体生产

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发布时间：2020-06-01

飞兆半导体推出新一代超级结MOSFET-SupreMOS™

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor)为电源.照明.显示和工业应用的设计人员带来SupreMOS™新一代600V超级结MOSFET系列产品.包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N.FCPF22N60NT 和 FCA22N60N.以及具有199mΩ最...

半导体生产

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发布时间：2020-06-01

受晶圆涨价影响.MOSFET.存储器IC等陆续调涨

2017年全球半导体产业上游的涨价风潮.从硅晶圆一路吹到MOSFET芯片.利基型DRAM芯片.LCD驱动IC及MCU.芯片供应商为反应成本上扬而陆续调涨芯片价格.然因晶圆代工交期有8~12周的时间落差.必须等到新的晶圆量产出厂...

半导体生产

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发布时间：2020-06-01

受惠于MOSFET.磊晶硅晶圆需求强劲.汉磊今年获利可期

2014年转型为控股公司的汉磊先进投控.受惠旗下专注晶圆代工业务的汉磊科技.及以磊晶硅晶圆产品为主的嘉晶等两大事业接单畅旺.2017年第4季终获利.带动全年转亏为盈.汉磊投控暨嘉晶董事长徐建华乐观表示.随着汉...

半导体生产

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发布时间：2020-05-30

华虹功率MOSFET累计出货超500万片.加速研发超高压IGBT技术

eeworld网消息.3月30日.华虹半导体宣布该公司功率器件平台累计出货量已突破500万片晶圆.其中.得益于市场对超级结MOSFET([金氧半场效晶体管")和IGBT([绝缘栅双极型晶体管")的强劲需求.华虹半导体独特且具竞...

半导体生产

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发布时间：2020-05-30

凌力尔特MOSFET驱动器可操作于150V电源电压

亚德诺(ADI)旗下的凌力尔特(Linear)日前推出高速.高压侧N信道MOSFET驱动器--LTC7000/-1.该组件可操作于高达150V的电源电压.其内部充电泵全面强化外部N信道MOSFET开关.因而使之能无限期地保持导通.LTC7000/-1的...

半导体生产

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MOSFET
凌力

发布时间：2020-05-30

凌力尔特发布150V高压侧N信道MOSFET驱动器

亚德诺半导体(ADI)旗下的凌力尔特(Linear)日前推出高速.高压侧N信道MOSFET驱动器--LTC7001.该组件以高达150V电源电压运行.其内部充电泵全面增强了外部N信道MOSFET开关.使其能保持无限期导通. 该驱动器为强大的1...

半导体生产

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发布时间：2020-05-30

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