MOSFET-EDA365

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MOSFET - 热插拔原理

本文将探讨如何选择用于热插拔的MOSFET(金氧半场效晶体管).当电源与其负载突然断开时.电路寄生电感元件上的大电流摆动会产生巨大的尖峰电压.对电路上的电子元件造成十分不利的影响.与电池保护应用类似.此处MO...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-23

恩智浦推出Power SO-8LFPAK封装60V和100V器件

恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布推出全新60 V和100 V晶体管.扩充Trench 6 MOSFET产品线.新产品采用Power SO-8LFPAK封装.支持60 V和100 V两种工作电压.Trench 6芯片技术和高性能LFPAK封装工艺的整合赋予新...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-23

ADI推出快速 60V 保护的高压侧 N 沟道MOSFET

亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc..简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速.高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7003.该器件可采用高达 60V 的电源电压工作.其内部充电泵全面增强...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-23

飞兆半导体发布PowerTrench N沟道WL-CSP MOSFET

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)因应手机.便携医疗设备和媒体播放器等便携应用设备的设计和元件工程师对在其设计中加入节省空间的高效器件的需求.推出N沟道MOSFET器件FDZ192NZ和FDZ372NZ.这两款器件使用...

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发布时间：2020-05-23

飞兆半导体新增60V PowerTrench MOSFET

器件能够减小电源占位面积.提高功率密度并提升设计效率 DC-DC电源.马达控制.热插拔和负载开关应用.以及服务器的次级同步整流应用的设计人员.需要使用具有更低传导损耗和开关损耗的MOSFET器件以期提高设计的...

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发布时间：2020-05-23

飞兆推出采用MLP封装的低导通电阻MOSFET

飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色热性能.并有助实现更薄.更轻和更紧凑的电源解决方案的MOSFET产品系列.可应对工业.计算和电信系统对更高效率和功率密度的设计挑战. FDMC7570S是采...

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发布时间：2020-05-23

ADI推出快速150V高压侧N沟道MOSFET驱动器

亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc..简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速.高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7001.该器件以高达 150V 电源电压运行.其内部充电泵全面增强了外部...

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ADI

发布时间：2020-05-23

恩智浦宣布完成剥离标准产品业务

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V..简称:恩智浦)(纳斯达克股票代码:NXPI)今天宣布已完成标准产品业务([Nexperia")的剥离.将其出售给由北京建广资产管理有限公司(简称[建广资产")和Wise Road Capital...

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发布时间：2020-05-23

意法半导体推出MOSFET能效的双极功率晶体管

意法半导体(ST)最新的双极功率晶体管媲美MOSFET的能效且具备紧凑封装.节省电路板空间中国.2013年10月15日 --意法半导体的3STL2540提供双极晶体管的成本优势和硅面积使用效率.同时兼具同级MOSFET的能效.为设计人...

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发布时间：2020-05-23

东芝推出搭载静电保护.用于驱动LED前照灯的MOSFET

东京-- 东芝电子元件及存储装置株式会社([东芝")已推出搭载高效静电放电保护的双MOSFET [SSM6N813R".该产品适用于需要耐高电压和小尺寸的汽车应用.包括LED前照灯驱动器IC.量产出货将于四月启动..100V的最大漏...

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发布时间：2020-05-23

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