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TRINAMIC推出适用于步进电机的MOSFET

与热门预驱动芯片互补的MOSFETs专为大电流电机应用而设 2014年3月10日.德国汉堡讯--全球领先的步进电机及运动控制供应商TRINAMIC宣布.推出一系列分立MOSFET集成电路芯片.这个系列是特别为TRINAMIC的热门电机驱...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-21

Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin连接来实现更好的性能

节省空间的MOSFET可替换TO-253 (D2PAK)封装的器件.适用于通信.服务器.计算机.照明和工业应用日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出采用小尺寸PowerPAK® 8x8封装的600V E系列功率...

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发布时间：2020-05-21

Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻

-12V和-20V器件采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装.3.0mm x 1.9mm x 3.3mm的占位体积宾夕法尼亚.MALVERN - 2013 年 11 月29 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出...

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发布时间：2020-05-21

Vishay Siliconix 再次刷新业内最小N沟道和P沟道功率MOSFET记录

宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 10 月20 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB.8V N沟...

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发布时间：2020-05-21

Vishay Siliconix发布新款E系列MOSFET器件

宾夕法尼亚.MALVERN - 2011 年 10 月12 日 - 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件.新产品在10V下具有64mΩ-190mΩ的超低最大导通电...

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发布时间：2020-05-21

ST推出9款车用功率MOSFET新产品

横跨多重电子应用领域.全球领先的汽车系统半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics.简称ST,纽约证券交易所代码:STM)推出9款全新汽车级功率MOSFET.进一步扩大STripFET™ VI DeepGATE™功率MOSFET产品组合.为...

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发布时间：2020-05-21

Vishay 推出4款低导通电阻的600V MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc.宣布.推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220).SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK).SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263).将其Super Junction FET技术延伸到TO-220.TO-220F.TO...

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发布时间：2020-05-21

ST最新MDmesh™ V功率MOSFET技术

2009年2月17日.意法半导体宣布.功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破.最新的MDmesh™ V技术达到业内最低的单位芯片面积导通电阻.MDmesh V让新一代650V MOSFET将RDS(ON)降到0.079Ω以下.采用紧凑型功率封装.使能效...

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发布时间：2020-05-21

NextPowerS3可提供超快速开关的MOSFET

中国上海.2013年9月24日讯--恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码:NXPI)近日宣布推出NextPowerS3--一款全新高性能30V MOSFET平台,使用恩智浦特有的[SchottkyPlus"技术.NextPowerS3是业界首款能...

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发布时间：2020-05-21

OptiMOS线性场效应晶体管兼具低RDS(on)值与大安全工作区

英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列.这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻(RDS(on))与平面MOSFET的大安全工作区.这就解决了RDS(on)与线性模式功能之间的平衡问题.OptiMOS线性...

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发布时间：2020-05-21

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第26届高交会元宇宙完美收官，数字化参会体验引爆全场

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