研发资源 > 标签 > NAND

S5PV210(TQ210)学习笔记--Nand flash驱动编写

 跟裸机程序一样.S5PV210的Nand flash模块跟S3C2440的Nand flash模块非常相似.如果不引入ECC.驱动程序的编写也非常简单.具体的分析及编写过程强烈推荐观看韦东山老师的视频教程.我是使用的Linux-3.8.6(Linux-3....
发布时间：2020-06-09

S5PV210开发 -- Nand和e-MMC区别以及系统更新

 通过上两篇文章我们完成了对开发板的烧写.接下来聊一下 Nand 和 iNand.为什么要聊这个呢?我购买的开发板 Flash:支持512MB nand flash/4GB inand 可选.标配 4GB inand,它们除了结构上的不同.还跟系统更新有关...
发布时间：2020-06-09

NAND FLASH ECC校验原理与实现

 ECC简介 由于NAND Flash的工艺不能保证NAND的Memory Array在其生命周期中保持性能的可靠.因此.在NAND的生产中及使用过程中会产生坏块.为了检测数据的可靠性.在应用NAND Flash的系统中一般都会采用一定的坏区...
发布时间：2020-06-08

韩国SK海力士将在中国投资8亿美元提高内存芯片产能

 移动设备存储需求的增长和固态硬盘在PC.数据中心的使用已促使SK海力士对手三星电子.东芝提高在芯片生产上的投资.[为了实现进一步增长.提前确保芯片产能很重要.这样才能应对3D NAND技术引领的NAND闪存市场增长....
发布时间：2020-06-08

FS2410 开发板上 Nand Flash 到内存的代码搬移

 一.目的 前面做过一个实验.搬移 Nand Flash 里的前 4k 代码到内存指定位置.这其实是把SRAM 从 0x40000000 开始的 4K 代码复制到 SDRAM 的指定位置.并没有涉及到对 NandFlash 的操作.究其原因.开发板上电后....
发布时间：2020-06-08

ARM 系列 -- FS2410 开发板上 Nand Flash 到内存的代码搬移

 一.目的 通过将 Nand Flash 前 4K 代码搬移到 SDRAM 中.了解如何初始化并使用 ARM 的内存. 为编写 ARM bootloader 和搬移内核到内存作准备.二.代码 关于如何建立开发环境.在我的前一篇随笔(FS2401 发光...
发布时间：2020-06-08

领先全球 SanDisk和东芝公布15nm闪存芯片

 半导体有多种类型.又有不同容量.速度和作用.但最广泛使用最常见的是 NAND 闪存(Flash).因此针对此类芯片的任何一次进步都有可能影响到各个行业.威锋网 4 月 24 日消息 日前.SanDisk 和东芝宣布.已经完成了...
发布时间：2020-06-08

FBI又栽啦! 黑客轻松破解iPhone 5C

 今年上半年美国联邦调查局要求苹果公司为其破解圣贝纳迪诺枪击案嫌犯iPhone 5C增设后门.彼时联邦调查局坚持称其没有其他办法能够访问嫌犯手机数据.现在英国一位研究人员指出.他的研究证实任何业务熟练的硬件黑客...
发布时间：2020-06-08

首款Intel 3D NAND 台电极光SSD登场

 拥有十数年存储历史的台电科技近年来.不断开拓新的存储市场.特别是随着固态硬盘行业的壮大.台电在固态硬盘存储行业的投入和研发也不断加码.也推出了数款.品质和性能都十分优异的固态硬盘存储产品.今天.笔者为...
发布时间：2020-06-08

Arm 2440----Nand flash启动模式详解(LED程序为例)

 断断续续的研究arm也有2个月了.现在才感觉理解了arm在Nand flash模式下的启动过程.现在来这里记录下来以表达我无比喜悦的心情.闲话少说.趁着还没有忘记学习过程中的感受.直接进入正题.大家都知道.arm在Nand f...
发布时间：2020-06-08
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