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NAND
Everspin将打造千兆级内存芯片ST-MARAM.相比NAND闪存技术减少写入放大倍数并拥有更好的耐用性
据外媒报道.磁性随机存取内存(MRAM)将在今年达到一个新的里程碑.Everspin宣布开始尝试打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片.另外他们已经将这款高寿命.非易失性的内存芯片生产提上议程. Everspin的ST-MRAM能够提供持久...
技术百科
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MRAM
NAND
发布时间:2020-06-08
对Nand Flash的操作(S3C2440)
Nand Flash的概述nandflash主要以page(页)为单位进行读写.以block(块)为单位进行擦除.每一页中又分为main区和spare区.main区用于正常数据的存储.spare区用于存储一些附加信息.如块好坏的标记.块的逻辑地址...
单片机程序设计
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FlaSh
NAND
S3C2440
操作
发布时间:2020-06-06
对S3C2440读取NAND Flash的总结
在网上找了一些资料.又结合自己的经历谈一下我对NAND Flash 的了解.S3C2440 板的Nand Flash 支持由两部分组成:Nand Flash 控制器(集成在S3C2440 CPU)和Nand Flash 存储芯片(K9F1208U0B)两大部分组成.当要访问Nan...
单片机程序设计
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FlaSh
NAND
S3C2440
发布时间:2020-06-06
U-Boot中SMDK2410的NAND Flash驱动
标准的SMDK2410板不支持NAND Flash.启动的时候是这样的:U-Boot 1.1.2 (May 28 2006 - 08:20:50)U-Boot code: 33F80000 -> 33F99A14 BSS: -> 33F9DB0CRAM Configuration:Bank #0: 30000000 64 MBFlash: 1 MB*** W...
单片机程序设计
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NAND
u-boot
SMDK2410
Flash驱动
发布时间:2020-06-06
mini2440硬件篇之Nand Flash
1. 硬件原理Nand Flash在对大容量的数据存储中发挥着重要的作用.相对于Nor Flash.它具有一些优势.但它的一个劣势是很容易产生坏块.因此在使用Nand Flash时.往往要利用校验算法发现坏块并标注出来.以便以后不再...
单片机程序设计
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FlaSh
NAND
mini2440
硬件篇
发布时间:2020-06-06
减产效应浮现 NAND Flash价格上涨
据台湾媒体报道.东芝(Toshiba).海力士(Hynix)减产效应提前浮现.三星电子(Samsung Electronics)眼看机不可失也趁机锁货.狠狠推了一把.导致小型记忆卡microSD价格单日大涨50%.创下有史以来单日最大涨幅.通路商...
技术百科
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NAND
减产
发布时间:2020-06-06
为什么3D NAND的平均生命周期很短
随着平面的2D NAND Flash制程逐渐面临微缩极限.3D NAND的平均生命周期也可能比大多数人所想象的更短许多...在今年的闪存高峰会(Flash Memory Summit)上.三星(Samsung)宣布开发1Tb 3D NAND.并将用于明年推出的商用...
技术百科
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内存
3D
NAND
发布时间:2020-06-05
中美贸易战.韩国半导体最受伤?
据外媒报道,在全球存储芯片市场,韩国公司是难以忽视的统治性力量.下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧. 截至去年第四季度,三星电子和SK海力士在全球DRAM内存与NAND闪存市场的合计份额分别达到了74.7%和...
技术百科
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DRAM
NAND
发布时间:2020-06-05
乘上存储芯片涨价潮 美光Q2业绩超预期
北京时间3月24日上午消息.由于供应趋紧和需求旺盛导致存储芯片价格上升.美光科技预计当前季度的营收和利润远超分析师预期.该公司第二财季利润也超出分析师预期.促使其股价在周四盘后交易中大涨9.4%.下面就随嵌...
技术百科
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NAND
美光
发布时间:2020-06-04
JZ2440裸板之nand flash操作
启动文件head.s源码:@******************************************************************************@ File:head.s@ 功能:设置SDRAM.将程序复制到SDRAM.然后跳到SDRAM继续执行@****************************...
单片机程序设计
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FlaSh
NAND
裸板
JZ2440
发布时间:2020-06-04
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