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NAND
可管理NAND:适用于移动设备的嵌入式大容量存储
与多年前相比.现在的移动消费电子装置结构复杂.功能丰富.能够存储大量音乐.照片和视频内容.让人欣慰的是.存储系统的体系结构能够适应这些新的数据密集型应用.例如.适用于大容量存储的高性价比紧凑型 NAND 闪...
存储技术
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移动设备
NAND
大容量存储
发布时间:2020-05-16
英特尔通过内存和存储创新 加速以数据为中心的技术发展
在全球影响力人士大会上.英特尔正式介绍了一系列新的技术里程碑.并强调了其在以数据为中心的计算时代.推动内存与存储技术进步的持续投资与坚定承诺.包括面向云.人工智能和网络边缘应用.为客户提供独特的英特尔...
存储技术
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英特尔
NAND
发布时间:2020-05-16
SK海力士投资NAND Flash制程转换
SK海力士(SK Hynix)为转换快闪存储器(NAND Flash)微细制程.积极执行资本支出.周星工程(Jusung Engineering)等协力厂商可望受惠.三星电子(Samsung Electronics)计划在2014年第2季投入NAND制程转换.执行资本支出....
存储技术
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FlaSh
NAND
SK海力士
发布时间:2020-05-16
SK海力士业务重整 DRAM.NAND等目标并进
南韩半导体大厂SK海力士(SK Hynix)将重整业务组织.将DRAM.NAND Flash.CMOS影像感测器(CIS)等三大事业群分开各自营运.事业群自行加强竞争力.而SK海力士将把事业重心放在NAND Flash上. SK海力士近来重整CEO底...
存储技术
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DRAM
NAND
SK海力士
发布时间:2020-05-16
SK 海力士公布新NAND Flash 发展规划.800+层.200TB 容量
目前.两大韩系NAND Flash 厂商──三星及SK 海力士在之前就已经公布了新NAND Flash 产品的发展规划.其中.三星宣布推出136 层堆叠的第6 代V-NAND Flash 之外.SK 海力士则是宣布成功开发出128 层堆叠的4D NAND Flash...
存储技术
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FlaSh
NAND
海力士
SK
发布时间:2020-05-16
Intel-镁光公布25nm NAND细节 采用Airgap技术
在本月6日至8日举办的IEDM2010旧金山大会上.Intel与镁光两家公司合作展示了其25nm NAND制程的细节.有趣的是.这种制程竟然会是首款将曾被IBM热捧的AirGap(空气隙型介电层)技术商用化的产品.当初IBM用来解释Airg...
存储技术
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Intel
NAND
镁光
发布时间:2020-05-16
IC Insights:NAND与DRAM朝3D发展
随着 DRAM 和 NAND 技术持续迈向更先进几何制程与多层次记忆体的道路.IC Insights密切观察有关 DRAM 和 NAND 供应商的最新动态.期望能提供更清楚的 DRAM / NAND发展蓝图. 在2014年中期.制造 NAND 快闪记忆体...
存储技术
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DRAM
NAND
发布时间:2020-05-16
2014年eMMC将占NAND移动市场出货量的40%
据iSuppli公司.2010年用于手机的嵌入式多媒体卡(eMMC) NAND闪存将出现爆炸性增长.预计出货量增长224%. 2007年eMMC面世的时候增长缓慢.但三年后的2010年.其出货量将增长到7000万个.占总体NAND闪存出货量的...
存储技术
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eMMC
NAND
出货量
移动市场
发布时间:2020-05-16
高性价比NAND将对DRAM芯片市场形成严重威胁?
据一家市调公司Objective Analysis对近300个PC性能测试数据进行研究后得出的结论.他们认为NAND闪存将会对DRAM内存产业形成严重的威胁.他们的研究报告名为看PC NAND闪存如何削弱DRAM内存的影响力.文中列举了大...
存储技术
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NAND
DRAM芯片
发布时间:2020-05-16
韩国结束对闪存商反垄断调查未发现违法行为
韩国公平交易委员会在一份声明中表示尚未发现韩国或其他地区闪存厂商有操纵价格或其他垄断行为的证据. 该机构调查了四家NAND闪存制造商.在被调查的四家厂商中.两家位于韩国.其他位于美国和日本.不过公平交...
存储技术
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NAND
海力士
闪存芯片
发布时间:2020-05-16
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