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DRAM芯片
DRAM芯片
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本文描述在存储器层次结构中使用的技术.特别是在构建Cache和主内存中. ...
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DRAM芯片
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加速10nm生产 三星扩建工厂:让内存降价
发布时间:2020-06-17
这波内存.闪存.SSD的涨价.让三星等厂商开怀大笑.因为这些厂商个个大赚特赚.现在韩国媒体ETNews给出的报道称.三星正在扩大位于Hwasung的Line 17工厂.其将投入26.4亿美元.以扩大相应生产规模.预计扩建后每月 ...
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DRAM芯片
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三星最快在2020年大量投产使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片
发布时间:2020-06-16
作为DRAM芯片的龙头企业.三星目前已经能量产10nm级.最大容量16Gb的LPDDR4内存.GDDR5显存和DDR4内存等.据Digitimes引述News1 Korea报道.三星悄悄启动了引入EUV(极紫外光)光刻工艺的DRAM内存芯片研发.基于1ynm ...
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技术百科
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DRAM芯片
EUV 1ynm
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三星及SK海力士将投资19万亿韩元研发芯片
发布时间:2020-06-16
三星电子和世界顶级的内存芯片制造商SK海力士计划在2015年投资19万亿韩元用于研发芯片.此次投资计划高于去年17.7万亿韩元的芯片投资资金.据美国一位对冲基金负责人表示.三星电子和SK海力士希望通过此次19万亿韩元 ...
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技术百科
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三星
DRAM芯片
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摩根士丹利:计算机存储芯片市场已复苏
发布时间:2020-06-04
据国外媒体报道.投资银行摩根士丹利在周一表示.在经历了三年的衰退之后.计算机存储芯片市场已开始复苏.预计此次复苏将会持续两年的时间. 摩根士丹利分析师韩亘(Keon Han)在周一的报告中指出.DRAM芯片销 ...
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半导体生产
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DRAM芯片
计算机存储芯片
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高性价比NAND将对DRAM芯片市场形成严重威胁?
发布时间:2020-05-16
据一家市调公司Objective Analysis对近300个PC性能测试数据进行研究后得出的结论.他们认为NAND闪存将会对DRAM内存产业形成严重的威胁.他们的研究报告名为看PC NAND闪存如何削弱DRAM内存的影响力.文中列举了大 ...
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存储技术
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NAND
DRAM芯片
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全面解析:PCB印制线的传输线效应以及封装.连接器和电缆的频率响应
发布时间:2024-11-03
通过一个 3200Mbps LPDDR4 接口将一个应用处理器连接至 DRAM 芯片.其难度不亚于 2600MHz 4G LTE 天线的布线工作.虽然 RF 前端采用了陶瓷封装.并在各个抗电磁干扰模块中进行了精心布线.但数字信号会穿过球栅阵列 ...
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南桥芯片
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对PCB印制线的传输线效应以及封装.连接器和电缆的频率响应进行全面分析
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国产PCIe Retimer芯片!破解高速传输信号完整性难题
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