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NAND
手机嵌入式SSD成NAND Flash应用的新焦点
当全球看好固态硬盘(SSD)是NAND Flash下一个杀手级应用的同时.手机内建NAND Flash内存的应用(嵌入式SSD)却抢先一步成为NAND Flash应用的新焦点.目前最普遍的嵌入式SSD的接口规格为eMMC.是手机内建储存方案的新标...
存储技术
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手机
FlaSh
NAND
嵌入式SSD
发布时间:2020-05-16
存储器望出现DRAM.NAND Flash双好行情
DRAM价格趋于稳定.1Gb容量提前在9月初站上1.7美元.台厂面对这样美好的光景.心中还是有些疑虑.担心三星电子(Samsung Electronics)会从中作梗.破坏DRAM价格涨势.然现在苹果(Apple)强劲追加NAND Flash订单.且随...
存储技术
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存储器
三星
DRAM
NAND
发布时间:2020-05-16
因DRAM价格下跌 三星半导体16产线将转产闪存
三星电子(SamsungElectronics)投入总金额12兆韩元(约108.36亿美元)于京畿道华城市增设的半导体厂.决定将先提供闪存(NANDFlash)量产使用.据南韩电子新闻报导.三星预计于2011年初完工的半导体华城厂16产线.将于201...
存储技术
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三星
FlaSh
DRAM
NAND
发布时间:2020-05-16
台美日DRAM厂连手 抗韩策略发酵
两大韩系内存厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)纷传出将大幅调高2010年资本支出.继三星预计投入30亿美元扩产及制程微缩后.海力士2010年资本支出亦将倍增至20亿美元.使得尔必达(Elpida)和美光(Micro...
材料技术
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DRAM
NAND
Samsung
发布时间:2020-05-16
分析师:NAND第三季可望摆脱供过于求
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查报告显示.受到新款智慧型手机上市以及 2015年度苹果(Apple)新款iPhone即将开始拉货的影响.NAND Flash市况将逐渐增温.预估在第三季摆脱供过于求.转为供需较为...
存储技术
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NAND
发布时间:2020-05-16
分析师预言英特尔.美光将在NAND市场分道扬镳
英特尔(Intel)与美光(Micron)将在 NAND 快闪存储器业务上分道扬镳吗?一位市场分析师断言.美光将撇下英特尔自己走自己的NAND之路.但英特尔拒绝对此发表评论.表示该分析师的说法纯属臆测.缺乏实际佐证. 英特...
存储技术
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英特尔
NAND
美光
发布时间:2020-05-16
全球DRAM平均售价将降低 5大迹象十分清晰
内存芯片在2017年掀起一阵狂热.价格只增不减.纵观2018年甚至2019年局势.5大迹象显示内存芯片「超级循环」将结束.全球 DRAM 的平均售价将降低.在苹果下调 iPhoneX 产量.以及大陆半导体公司预计在 2019 年将完成...
存储技术
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三星
DRAM
NAND
发布时间:2020-05-16
为NAND架构闹翻?英特尔.美光将分手.研发各走各的路
英特尔(Intel)和美光(Micron)合作研发 NAND Flash 多年.8 日宣布准备拆伙.将在完成第三代 3D NAND 研发之后.正式分道扬镳.Anandtech.Barronˋs 报导.英特尔和美光 12 年前成立合资公司 IM Flash Technologi...
存储技术
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英特尔
NAND
美光科技
发布时间:2020-05-16
中芯国际推出自主研发的38纳米NAND闪存工艺制程
上海2014年9月10日电 /美通社/ -- 中芯国际集成电路制造有限公司([中芯国际".纽约证交所股票代码:SMI.香港联交所股票代码:981)今日宣布38纳米 NAND 闪存工艺制程已准备就绪.中芯国际凭此成为唯一一家可为客户...
存储技术
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NAND
中芯
38纳米
发布时间:2020-05-16
三星电子在全球率先量产[超高速NAND "
日前.记者从三星电子得知.从本月起三星电子将在全球率先量产采用[Toggle DDR 2.0"标准的20纳米级(1纳米: 十亿分之一米)超高速MLC NAND Flash.今后NAND Flash全线产品将采用[Toggle DDR 2.0". 记者了解到.这...
存储技术
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NAND
发布时间:2020-05-16
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