SRAM-EDA365

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Cortex M3的SRAM单元故障软件的自检测研究

目前.对于存储单元SRAM的研究都是基于硬件电路来完成.而且这些方法都是运用在生产过程中.但是生产过程并不能完全杜绝SRAM的硬件故障.在其使用过程中.如果SRAM硬件出错.将导致程序出错而且很难被发现.因此在运...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-07

从Flash和SRAM中触发中断的过程示例(二)

启动汇编代码;*********************************************************************; 汇编指令;******************************************************************AREA asm_code,CODE ;新的代码段CODE32 ;ARM...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-07

从Flash和SRAM中触发中断的过程示例(一)

使用LPC2106的Timer 1 进行的简单的中断处理.示例代码中Timer1分为FIQ和IRQ.用户可以从Flash或者SRAM中运行这些代码.示例展示了ARM构架中中断是如何操作的.提供的代码表示了向量IRQ(中断请求)和FIQ(快速中断)两...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-07

基于DBL结构的嵌入式64kb SRAM的低功耗设计

嵌入式存储器的容量及其在系统芯片中所占的面积越来越大.对其操作所带来的动态功耗成为系统芯片功耗中重要的组成部分.因此.必须寻求有效的低功耗设计技术.以降低嵌入式存储器对整个系统的影响.为了降低存储器的...

嵌入式开发

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发布时间：2020-07-07

基于国产龙芯GS32I的小系统的硬件设计

一.引言目前.嵌入式系统已经渗透到各个领域:工业控制.军事国防.消费类电子产品.网络通信等.但大部分领域的应用都是基于国外各大厂商的嵌入式处理器.在嵌入式领域使用国产芯片.走国产化道路已经成为一个迫切...

嵌入式开发

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SRAM
GS32I

发布时间：2020-07-07

基于SRAM的可重配置电路

基于SRAM的可重配置PLD(可编程逻辑器件)的出现.为系统设计者动态改变运行电路中PLD的逻辑功能创造了条件.PLD使用SRAM单元来保存字的配置数据决定了PLD内部互连和功能.改变这些数据.也就改变了器件的逻辑功能....

电路设计

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发布时间：2020-07-07

嵌入式系统应用中NV SRAM存储器的应用

传统方案中常常采用EPROM.EEPROM和Flash存储程序.NVSRAM具有高速存取时间和与SRAM相同的接口.因而可用于存储程序.本文介绍NVSRAM如何与基于程序和数据存储的微处理器进行接口.并说明选用NVSRAM与现有的其它非易...

嵌入式开发

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发布时间：2020-07-07

SoC用低电压SRAM技术介绍

东芝在[2010 Symposium on VLSITechnology"上.发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术.该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术.通过控制晶体管阈值电压的经时变化.可抑制SRAM的最...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-07

基于FPGA与外部SRAM的大容量数据存储

1 引言我们将针对FPGA中内部BlockRAM有限的缺点.提出了将FPGA与外部SRAM相结合来改进设计的方法.并给出了部分VHDL程序.2 硬件设计这里将主要讨论以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61LV256...

嵌入式开发

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FPGA
SRAM

发布时间：2020-07-07

SoC低电压SRAM技术介绍

东芝在[2010 Symposium on VLSITechnology"上.发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术.该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术.通过控制晶体管阈值电压的经时变化.可抑制SRAM的最...

模拟电路设计

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发布时间：2020-07-07

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