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SiC
SiC和GaN系统设计工程师不再迷茫
SiC和GaNMOSFET技术的出现.正推动着功率电子行业发生颠覆式变革.这些新材料把整个电源转换系统的效率提高了多个百分点.而这在几年前是不可想象的.在现实世界中.没有理想的开关特性.但基于新材料.拥有超低开关...
模拟电路设计
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gan
SiC
发布时间:2024-06-28
快速充电用AC/DC电源设计
?型快速充电策略.并设计和制作了可满足12 V/40 Ah锂电池组快速充电需求的高功率密度AC/DC电源.介绍了AC/DC电源拓扑结构.关键元件选型及参数计算.快速充电器输入PF大于0.98.额定工作点效率大于90%.可实现12.8 V...
电源应用
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LLC
pfc
快速充电
SiC
锂电池组
201808
发布时间:2024-05-08
GaN与SiC新型功率器件
1 GaN 功率管的发展 微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管.场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( Si...
接口
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gan
SiC
发布时间:2024-02-19
通过合适的栅极驱动技术最大化SiC的性能
电动汽车革命即将来临.汽车公司拼命地寻求技术优势.驱动电动汽车的电力电子设备正在迅速发展.诸如碳化硅(SiC)之类的宽禁带FET技术有望显着提高效率.减轻系统重量并减小电池体积.在汽车设计中.SiC兑现了这些...
电源硬件技术
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SiC
栅极驱动技术
发布时间:2023-07-12
了不起的碳化硅 汽车厂商都爱它
近日.据韩媒报道.多名业内人士透露.LG集团旗下子公司硅芯片有限公司(Silicon Works)日前宣布扩大其半导体业务.重点押注碳化硅PMIC以及MCU.据了解.硅芯片公司此前更常以其驱动IC产品被业界所熟知.此次大动作...
材料技术
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SiC
汽车
发布时间:2023-04-04
技术文章-雪崩工作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性
摘要本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估SiCMOSFET的鲁棒性.MOSFET功率变换器.特别是电动汽车驱动电机功率变换器.需要能够耐受一定的工作条件.如果器件在续流导通期间出现失效或栅极驱动命令信号错误.就会致使...
材料技术
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SiC
ST
发布时间:2022-12-01
采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装的SiC MOSFET
人们普遍认为.SiCMOSFET可以实现非常快的开关速度.有助于显著降低电力电子领域功率转换过程中的能量损耗.然而.由于传统功率半导体封装的限制.在实际应用中并不总是能发挥SiC元器件的全部潜力.在本文中...
电源硬件技术
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驱动器
SiC
低电感
源极引脚
发布时间:2022-08-26
使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言.碳化硅(SiC)MOSFET的高开关速度.高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力....
电源
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MOSFET
电磁干扰
开关损耗
SiC
发布时间:2022-08-26
如何使用宽禁带提升能量转换效率?
[节约能源"是我们都非常熟悉的口号.但全球能源需求短期内并不会下降.工业能源协会认为.到2040年.能源需求将比2018年增加约50%.乐观地说.只有三分之二的增长是来自可再生能源.经过简单的计算就可以知道...
RF技术
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SiC
能量转换
发布时间:2022-08-23
一文看懂:功率器件行业最新进展
在5G通信中.除了基带单元之外.还有被称为[远程无线电头(RHH)"的单元.这种单元在每个基带单元上都会附有几个.负责转换RF信号等.........
电源
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TI
功率器件
igbt
gan
SiC
罗姆
ST
与非观察
泰科天润
发布时间:2022-08-22
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支持PCIe 6.0!国产时钟芯片的创新发展史
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