SiC-EDA365

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ROHM成为首家量产采用沟槽结构的SiC-MOSFET

导通电阻大大降低.有助于工业设备等大功率设备的小型化与低功耗化半导体制造商ROHM近日于世界首家开发出采用沟槽结构的SiC-MOSFET.并已建立起了完备的量产体制.与已经在量产中的平面型SiC-MOSFET相比.同一...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

美高森美宣布推出专门用于SiC MOSFET技术的极低电感SP6LI封装

致力于在功耗.安全.可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation.纽约纳斯达克交易所代号:MSCC) 发布专门用于高电流.低导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC) MOSFET功率...

分离器件设计

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发布时间：2020-06-29

SiC衬底X波段GaN MMIC的研究

0 引言GaN微波单片集成电路(MMIC)具有高工作电压.高输出功率.频带宽.损耗小.效率高.体积小.抗辐照等特点.具有诱人的应用前景.成为国内外许多研究机构的研究热点.德国R．Behtash等人制作出X波段GaNMMIC.工...

模拟电路设计

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发布时间：2020-06-28

功率半导体的革命:SiC与GaN的共舞(二)

GaN和SiC将区分使用 2015年.市场上或许就可以稳定采购到功率元件用6英寸SiC基板.并且.届时GaN类功率元件除了硅基板之外.还有望使用GaN基板.也就是说.2015年前后.SiC制功率元件与GaN类功率元件就均可轻松制...

集成电路

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发布时间：2020-06-23

东芝正式成为功率器件玩家.准备量产SiC肖特基势垒二极管

东芝公司日前表示.即将在兵库县姬路工厂量产SiC器件.用以满足工业和汽车应用日益增长的需求. 东芝公司将首先量产肖特基势垒二极管器件(SBD).SBD的效率相比较传统的硅二极管开关电源提高了50%.另外.SiC功率...

技术百科

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发布时间：2020-06-20

飞兆半导体收购SiC公司TranSiC

飞兆半导体公司日前发布声明.称已收购了碳化硅功率二极管公司TranSiC.但交易金额并没有透露. 飞兆半导体董事会主席.CEO兼总裁Mark Thompson在一份声明中指出:[碳化硅技术可以与飞兆半导体现有的MOSFET.IGBT...

技术百科

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发布时间：2020-06-19

罗姆:SiC的未来一片大好

与第二代半导体材料硅相比.以SiC为代表的第三代半导体材料凭借其拥有宽禁带.高热导率以及更快的电子饱和速度的特点.可以在更高的温度下进行工作.更易冷却并且能够满足现代元件对更高频率的需求.基于以上优势....

其他资讯

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SiC
罗姆

发布时间：2020-06-19

SiC上沉积的GaN最新技术

为什么GaN可以在市场中取得主导地位?简单来说.相比LDMOS硅技术而言.GaN这一材料技术.大大提升了效率和功率密度.约翰逊优值.表征高频器件的材料适合性优值. 硅技术的约翰逊优值仅为1. GaN最高.为324.而GaAs...

技术百科

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gan
SiC

发布时间：2020-06-17

SiC半导体将腾飞:科锐将在美国建全球最大SiC制造工厂

作为碳化硅(SiC)技术全球领先企业的科锐(Cree, Inc..美国纳斯达克上市代码:CREE).于今日宣布计划在美国东海岸创建碳化硅(SiC)走廊.建造全球最大的碳化硅(SiC)制造工厂.科锐将在美国纽约州Marcy建造一座...

技术百科

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SiC
碳化硅

发布时间：2020-06-15

日益壮大的ROHM最新功率元器件产品阵容

前言全球知名半导体制造商ROHM利用多年来在消费电子领域积累的技术优势.正在积极推进面向工业设备领域的产品阵容扩充.在支撑[节能.创能.蓄能"技术的半导体功率元器件领域.ROHM实现了具有硅半导体无法得到的...

技术百科

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发布时间：2020-06-12

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