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分析影响IGBT驱动电路性能参数的因素

0 引言 IGBT 即绝缘门极双极型晶体管( IsolatedGate Bipolar Transistor). 这是八十年代末九十年代初迅速发展起来的一种新型复合器件.由于它将MOSFET和GTR的优点集于一身. 具有输入阻抗高.速度快.热稳定性好...

驱动

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驱动电路
igbt

发布时间：2020-11-11

IGBT 驱动器提供可靠保护

1 引言为确保电力电子组件在非允许工作的条件影响下得到可靠的保护.需要快速和可靠的错误检测及有效的保护措施.在功率模块中.即可通过系统控制器或者通过IGBT驱动器提供错误管理.系统控制器适用于对慢速故...

驱动

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驱动器
igbt

发布时间：2020-11-10

如何为IGBT提供合适栅极信号的栅极驱动器

在功率电子(例如驱动技术)中.IGBT经常用作高电压和高电流开关.这些功率晶体管由电压控制.其主要损耗产生于开关期间.为了最大程度减小开关损耗.要求具备较短的开关时间.然而.快速开关同时隐含着高压瞬变的危...

总线

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栅极驱动器
igbt

发布时间：2020-11-09

6种IGBT中的MOS器件隔离驱动入门

由于不间断电源的兴起.IGBT技术得以飞速发展.IGBT的特点是具有电流拖尾效应.因此在关断的瞬间对于抗干扰的性能要求非常严格.需要负压驱动进行辅助.当MOSFET作用在电路中时.由于MOSFET速度比较快.因此关断过程...

电源应用

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发布时间：2020-11-09

IGBT场效应管的工作原理及检测方法

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)又称绝缘栅双极型晶体管.是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,因此,可以把其看...

接口

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场效应管
igbt

发布时间：2020-11-05

一文通俗易懂的理解电源设计中重要的IGBT

IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写.也被称作绝缘栅双极晶体管.IGBT被归类为功率半导体元器件晶体管领域.功率半导体元器件的特点除了IGBT外.功率半导体元器件(晶体管领域)的代表产品还...

模拟电路设计

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发布时间：2020-11-04

MOS管功率损耗竟然还可以这么测

MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节.但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上.PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索.那么该如何量化评估呢?本文引用...

接口

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MOS管
igbt

发布时间：2020-11-02

IGBT助变频器实现高效能低损耗

·随着IGBT升级换代.变频器性能不断提高.体积不断减小. ·三菱电机在功率半导体领域的一个很大的优势就是贴近系统用户. 日本从上世纪80年代开始使用工业用的变频器.还有家庭用的变频空调.在市场上变频技术...

电源硬件技术

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发布时间：2020-10-30

基于EXB841的IGBT 驱动电路优化设计

设计高性能的驱动与保护电路是安全使用IGBT的关键技术.日本FUJI公司的EXB841芯片是一种典型的适用于300A以下IGBT的专用驱动电路.具有单电源.正负偏压.过流检测.保护.软关断等主要特性.在国内外得到了广泛应用...

模拟电路设计

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发布时间：2020-10-30

常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术汇总

MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构.直流电不能通过.因而低频的表态驱动功率接近于零.但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs.因而在高频率的交替开通和需要关断...

电源硬件技术

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发布时间：2020-10-27

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