igbt-EDA365

IGBT的结构与各种保护设计方法详解

绝缘栅双极晶体管(Insulated-gate Bipolar Transistor-IGBT或IGT) GTR和MOSFET复合.结合二者的优点.具有好的特性.80年代中期问世以来.逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市场.中小功率电力电子设备的主导器件...

放大器-比较器-模拟开关

发布时间：2020-06-05

MC33GD3100高档单路IGBT栅极驱动器

nxp公司的MC33GD3100是高档单路IGBT栅极驱动器.集成了电流隔离和低开态电阻驱动晶体管.提供高充电和放电电流.低动态饱和电压.轨到轨电压控制.通过INTB引脚和SPI接口能管理严重故障并报告故障与状态.和安全等级...

放大器-比较器-模拟开关

发布时间：2020-06-05

4.5kV IGBT/二极管芯片组在高压直流输电领域的应用

制造商已经为高压直流 (HVDC) 应用开发出新的 4.5kV 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)/ 二极管芯片组并对其性能进行了优化 .这种芯片组的特点是导通电压损耗非常低.具备大电流高电压快速开通行为和高鲁棒性的短路行为...

放大器-比较器-模拟开关

发布时间：2020-06-05

IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列

全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IR66xx系列.坚固可靠的新系列器件提供极低的导通损耗和开关损耗....

放大器-比较器-模拟开关

发布时间：2020-06-04

国内首条8英寸IGBT芯片生产线将投产

据中国南车技术专家介绍.高速列车为什么会跑得那么快?牵引控制系统是关键.一个小小的试生产的芯片已经通过了技术专家鉴定.将于今年6月全线投产.也意味着届时中国高铁将迎来自己的[芯时代".中国南车也成为国内...

半导体生产

芯片
igbt

发布时间：2020-06-04

ST推出先进的1200V IGBT

中国.2014年7月8日 --意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器.电焊机.不间断电源和功率因数校正(PFC, Power-Factor ...

技术百科

igbt
ST

发布时间：2020-06-03

株洲IGBT产业高峰论坛共论如何打造中国芯

湖南日报5月7日讯(记者周怀立)今天上午.中国[芯"力量--2017中国·株洲IGBT产业高峰论坛在株洲召开.中国企业联合会领导.高精尖装备制造企业负责人等百余位行业大咖参加盛会.共论IGBT发展大势.IGBT是功率半导体...

半导体生产

igbt
中国芯

发布时间：2020-06-03

我国拟组建新型功率半导体器件及应用创新中心

新华网长沙9月26日电日前.我国IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产业链的10余家企业与科研机构在湖南株洲签署框架协议.计划共同创建新型功率半导体器件及应用国家创新中心.旨在推动我国新型功率半导体技术取得新突破...

半导体生产

半导体
igbt

发布时间：2020-06-03

用于新型IGBT模块的直流支撑电容器

TDK集团推出新型爱普科斯 (EPCOS) 直流支撑电容器.该元件专为英飞凌科技公司 (Infineon Technologies) HybridPACK™1-DC6 IGBT模块而设计.采用多触点结构.具备尺寸大小与IGBT模块精确匹配的六个母线端子.其...

半导体生产

电容器
igbt

发布时间：2020-06-02

国家发改委将推动新型电子器件产业化

记者30日从国家发改委了解到.为推动节能降耗.促进电力电子技术和产业的发展.国家发改委等有关部门将对安排补贴资金支持新型电力电子器件产业化. 随着我国智能电网.高铁建设.新能源汽车以及节能家电等市场...

半导体生产

发布时间：2020-06-01

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