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igbt
igbt是什么电子元件
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型晶体管.是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件....
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igbt
电子元件
发布时间:2021-10-11
英飞凌推出650V CoolSiC Hybrid IGBT可降低成本提高效率
英飞凌科技股份公司推出650 V关断电压的CoolSiC™Hybrid IGBT单管.新款CoolSiC™Hybrid IGBT结合了650 V TRENCHSTOP™5IGBT及CoolSiC™肖特基势垒二极管的主要优点.具有出色的开关频率和更低的开关损耗.特别适用于DC-...
半导体生产
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igbt
英飞凌
发布时间:2021-07-22
全桥型IGBT脉冲激光电源电路
V1-V4组成桥式逆变器.两端并联RCD吸收支路.L为限流电感.Co为储能电容.Lo用于限制Co对负载氙灯的放电电流.保护氙灯.此处将限流电感L放在变压器原边.这除了能实现功率管的零电压开通外.例如在V1.V4关断后.由...
模拟电路设计
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igbt
电源电路
脉冲激光
全桥型
发布时间:2021-07-01
常见的MOSFET以及IGBT绝缘栅极隔离驱动技术解析
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构.直流电不能通过.因而低频的表态驱动功率接近于零.但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs.因而在高频率的交替开通和需要关断...
其他资讯
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MOSFET
igbt
隔离驱动
发布时间:2021-06-25
使用栅极电阻控制IGBT的开关
1 前言 用于控制.调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流.功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制.而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制.通过使用典型的+15V控制电压(VG(...
分离器件设计
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igbt
续流二极管
优化
栅极电阻
发布时间:2021-06-10
晶闸管及IGBT在静止变频技术中的应用
我国20世纪80年代以前的静止变频技术由于受到电力电子器件技术的影响.一直处于停滞不前的状态.各个行业感应加热用中频电源基本上使用中频变频电机供电.随着20世纪90年代初电力电子器件的发展.目前国内中频电机组...
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晶闸管
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igbt
静止变频技术
发布时间:2021-06-07
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PWM的死区时间到底是什么如何计算死区时间-什么是死区时间?PWM是脉冲宽度调制.在电力电子中.最常用的就是整流和逆变.这就需要用到整流桥和逆变桥.对三相电来说.就需要三个桥臂.以两电平为例.每个桥臂上有两个电力电子器件.比如IGBT.大致如下图所示,...
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PWM
igbt
电力电子
发布时间:2021-05-12
IGBT崛起--国产功率器件的曙光
IGBT是功率器件技术演变的最新产品.是未来功率器件的主流发展方向.IGBT器件(绝缘栅双极型晶体管)是一种MOSFET与双极晶体管复合器件.既有功率MOSFET易于驱动.控制简单.开关频率高的优点.又有功率晶体管的导...
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功率器件
igbt
发布时间:2021-05-12
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电动车用大功率 IGBT模块测试解决方案-功率半导体器件种类众多.按集成度可分为功率IC.功率模块和功率分立器件三大类.其中功率分立器件中MOSFET.功率二极管.IGBT占比较大.是最主要的品类....
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功率半导体
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发布时间:2021-05-11
高频开关电源原理
高频开关电源.又称交换式电源.开关变换器以及开关型整流器SMR.它是一种高频化电能转换装置....
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高频开关电源
发布时间:2021-05-07
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