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锂离子电池智能充电器硬件的设计(图)

锂离子电池具有较高的能量重量和能量体积比.无记忆效应.可重复充电次数多.使用寿命长.价格也越来越低.一个良好的充电器可使电池具有较长的寿命.利用C8051F310单片机设计的智能充电器.具有较高的测量精度.可...

其他资讯

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发布时间：2020-06-23

亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计二

3 仿真分析及具体设计结果 3.1 仿真分析在亚微米的ESD结构的设计中.一种常见的具体的ESD瞬态检测电压如图2 VDD-VSS间的电压钳位结构.其原理如下: 主要利用结构中的RC延迟作用.一般T=RC被设计为100ns-1...

技术百科

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发布时间：2020-06-20

技术文章-电路中VCC.VDD.VEE.VSS都是啥意思

DCpower一般是指带实际电压的源.其他的都是标号(在有些仿真软件中默认的把标号和源相连的)VDD:电源电压(单极器件);电源电压(4000系列数字电路);漏极电压(场效应管)VCC:电源电压(双极器件);电源电压(74系列数字电路...

电源硬件技术

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发布时间：2020-06-08

STM32之BKP原理

1． BKP可以用来保存数据 BKP中包括了42个16位的寄存器.共可保存84字节的内容.它们由VBAT的供电来维挂.2． BKP内保存的数据可以被毁灭(如果有人希望恶意得到这些数据的话.令其丢失比保护数据更重要)...

单片机程序设计

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发布时间：2020-06-05

如何解决PIC单片机硬件死锁的问题

1.频繁插拔电时.PIC单片机容易死机.用一个10K电阻并在LM7805的5V输出端到地.2.单片机的复位端的电容不能太大.使用PIC单片机去设计工控电路.最头痛的问题.就是 PIC 单片机在受干扰后经常硬件死锁.大部份人归...

单片机程序设计

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发布时间：2020-06-04

亚微米CMOS电路中VDD-VSSESD保护结构设计一

1 引言 ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一.其ESD结构与工艺技术.特征尺寸密切相关.随着IC工艺技术的进一步发展.特征尺寸越来越小.管子的栅氧层厚度...

放大器-比较器-模拟开关

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发布时间：2020-06-04

STM32的几个注意事项

1.每组 VDD.VSS 管脚间并一个 100nF 电容.距离管脚越近越好,VDD3 需要加并一个 4.7μF 电容.2.VDDA.VSSA 之间并一个 10nF 电容加 1μF 电容,VREF±间使用同样方式.3.在上电和正常操作期间.VDD和VDDA之间最...

单片机程序设计

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发布时间：2020-05-22

解析单片机复位过程

我最近在整理单片机的复位问题.很多文献都过分的集中于外部复位.特意把内部复位的东西整理一下.我参考了很多的飞思卡尔的文档....

EDA

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发布时间：2024-11-03

一个简易的手机充电器(电路图)

下图为简易手机充电器线路图.其中的元器件也比较容易购买到.有兴趣的朋友可以自己动手 DIY 一个.芯片内部线路及典型线路如下:线路采用反激式架构.输入电压经过整流桥 BD1 后一路输送给变压器的源边.另一路经过...

电源硬件技术

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发布时间：2024-11-03

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国产PCIe Retimer芯片！破解高速传输信号完整性难题

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