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美系存储器大厂美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大跃进，已挤下海力士(Hynix)坐稳全球三哥宝座，在扩产速度上，美光在2011年也不会缺席，与英特尔(Intel)合资的新加坡厂也将在2011年第2季开始投产，对于三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)2011年也有扩产计画，美光表示不担心供过于求，在产能增加的同时，平板计算机等应用也大幅崛起，预计2011年NAND Flash市场供需可维持健康的状态。
美光近来年陆续在34奈米和25奈米技术世代上，都接连领先三星和东芝，在全球NAND Flash技术地位上大幅提升，加上与英特尔合资建厂，也使得全球NAND Flash市占率增加，2010年第3季达10%。
展望2011年NAND Flash市场概况，三星和东芝都有扩产的计画，三星兴建的Line-16新厂房预计将以NAND Flash产品为主，东芝与快闪记忆卡龙头大厂新帝(SanDisk)合资兴建的Fab 5，也预计在2011年投产。
面对三星和东芝对于扩产NAND Flash产能来势汹汹，美光在新加坡的新厂也将于2011年加入投产，预计此厂房的产能规模约10万片，预计2011年底前先完成50%机器设备装置。
面对2011年NAND Flash产能大幅增加，美光表示，其实在终端应用上，也同步在往上，包括平板计算机、固态硬碟(SSD)、智能型手机等对于NAND Flash需求量都大增，预期2011年的NAND Flash市场供需将是健康稳定成长。
再者，美光除了制程技术持续领先外，美光在产品技术上，也一直紧抓市场脉动包括eMMC解决方案之外，也领先推出ClearNAND产品，将ECC除错机制(Error Correcting Code)功能包裹在芯片之内，预计未来可抢占平板计算机商机。
面对NAND Flash技术在25奈米以下离瓶颈期越来越近，美光也持续开发下世代快闪存储器技术，在购并恒忆(Numonyx)之后，也获得相变化存储器(Phase-Change Memory；PCM)技术和专利，美光看好PCM可以取代NAND Flash和DRAM技术，这会是美光未来布局的重点之一。
再者，美光指出，新存储器技术包括Cross Point Memory和3D技术等，也都是未来布局的一环。
关键字：NAND Flash 内存 美光 DRAM PCM『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』
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