联华电子今宣布,该公司推出40奈米结合Silicon Storage Technology(SST)嵌入式SuperFlash非挥发性内存的制程平台。 新推出的40nm奈米SST嵌入式快闪记忆,较量产的55奈米单元尺寸减少20%以上,并使整体内存面积缩小了20-30%。 东芝电子组件&存储产品公司已开始评估其微处理器(MCU)芯片于联电40奈米SST技术平台的适用性。
东芝电子组件&存储产品公司混合信号芯片部门副总松井俊也表示:「我们期待采用联电40奈米SST技术有助于提升我们MCU产品的性能。 与联电合作,透过稳定的制造供应及配合我们的生产需求提供灵活的产能,亦将使我们能够保持强劲的业务连续性计划 (BCP)。 」
已有超过20个客户和产品正以联电55奈米SST嵌入式闪存制程进行各阶段的生产,包含了SIM卡,金融交易,汽车,物联网,MCU及其他应用产品。
联华电子特殊技术组织协理丁文琪表示:「自2015年提供55奈米SST嵌入式闪存成为主流技术以来,我们一直受到客户的高度关注,藉此制程平台所具有的低功耗、高可靠度及卓越的数据保留和高耐久性的特性,可用于汽车、工业、 消费者和物联网的应用。 我们很高兴将这些产品进入大批量产,并正努力将这嵌入式闪存解决方案扩展到40奈米的技术平台,期待将SST的高速度和高可靠性优势带给东芝和其他晶圆专工客户。 」
联电的分离式闸极内存单元SST制程,依据JEDEC所制定的规范标准,具100K耐久性和在85℃及工作温度范围为-40℃至125℃温度下,数据可保存10 年以上。
『本文转载自网络,版权归原作者所有,如有侵权请联系删除』