在于日本京都举行的2009年半导体技术国际会议（2009 Symposium on VLSI Technology）上，Global Foundries公司宣布发明了一项能够让高K金属栅极晶体管升级到22纳米及以上级节点的技术。

      Global Foundries公司首次展示了一种可缩减高K金属栅极晶体管上等效氧化层厚度的技术。通过此技术，该公司制造出了一种EOT为0.55nm的n- MOSFET管和一种EOT为0.7nm的p-MOSFET管。

      Global Foundries是一家由AMD公司和迪拜Advanced Technology Investment Co. (ATIC)公司合资创建的半导体制造公司。

      该公司在德国有一家工厂。另外它还计划投资45亿美元在纽约州Saratoga县Malta镇创建一个300mm工厂。此工厂预计将在2012年建成使用，最初每月全负荷运行时产量将达到3.5万片晶片。

      Global Foundries公司是IBM公司“晶圆厂俱乐部”联盟的成员。其在高K金属栅极晶体管领域的研究也是和IBM的“技术联盟”合作进行的。这个“晶圆厂俱乐部”联盟表示将在所有其它晶圆厂之前推出32纳米节点的高K金属栅极技术。据报道，该联盟将在2009年下半年完成32纳米设计，并于2010年上半年开始量产。

      据报道，东京电子有限公司(TEL)正在向IBM“晶圆厂俱乐部”成员供应高K制程所需的CVD工具，而日本Canon Anelva公司则在供应用于IBM技术平台金属栅部分的PVD工具。Canon Anelva的PVD I-7100GT工具目前已被IBM、AMD、三星和东芝等公司安装和使用。

      如何缩减EOT，是继续在先进节点上运用高K金属栅极技术所面临的主要障碍之一。Global Foundries公司表示：“有人已经成功地缩减了EOT，但往往因此影响了设备性能。”

      要保持高K金属栅极晶体管技术的开关精度，就必须缩减高K氧化层的EOT。GlobalFoundries公司指出：“我们和IBM已经开发出跨越这一技术障碍的新技术，在业界首次做到了既能缩减EOT以扩展到22纳米节点，又能保持必需的泄露、门限电压和载子迁移率。”

      Global Foundries公司技术和研发高级副总裁Gregg Bartlett表示：“这一技术进步将最终让我们的用户能够提高其产品的性能，尤其是在所用电池寿命更长、正处于快速增长的超便携式笔记本电脑和智能手机市场。”