作为全球半导体行业在化学机械研磨（CMP）技术的领导者和创新者陶氏电子材料 (Dow Electronic Materials) (NYSE:DOW) 将在 SEMICON China 上展出其两款最新的 VISIONPAD™研磨垫——VISIONPAD™ 6000和 VISIONPAD™ 5200。这两款新研磨垫进一步拓展了陶氏在为客户提供改进技术以实现在高端制程上研磨和在现有制程上提高生产力的应用特殊型解决方案方面的能力。VISIONPAD™ 6000 和 VISIONPAD™ 5200磨片满足多数客户的需求，目前已投入生产。

    陶氏电子材料全球部门总经理 Sam Shoemaker 表示：“陶氏的 VISIONPAD™系列磨片为业界提供了专门用于当前和新一代产品生产的无与伦比的平台。我们创新的研发工作推动了 VISIONPAD™平台的发展，从而使我们能够为特殊的化学机械研磨应用提供合适的研磨垫。这些 VISIONPAD™ 研磨垫性能较高，能够降低消费成本。”

    VISIONPAD™6000研磨垫具备尖端技术，专为减低层间电介质（ILD）和铜（Cu ）制程的缺陷率(Defectivity)以及减低碟形缺陷(Dishing)而研发。VISIONPAD™ 6000研磨垫采用低缺陷、低硬度聚合体化学材料制成，其孔洞大小也已得到优化，因而降低了缺陷率和碟形缺陷(Dishing)，并且其研磨速率(Remove Rate)已经超过了 IC1000™研磨垫。在客户测试中，与 IC1000™磨片相比，VISIONPAD™ 6000研磨垫的刮痕瑕疵减少了50%- 60%，同时将碟形缺陷(Dishing)降低了35％而晶圆非均匀性则与其相当。

    VISIONPAD™ 5200磨片提供可让钨（W）、层间电介质（ILD） 和銅(Cu)块材料工艺实现较高研磨速率(Remove Rate)的新一代技术。VISIONPAD™ 5200研磨垫采用了独特的聚合体化学材料制成，研磨垫孔隙率较高，可以将钨（W）、層間電介質(ILD)  和銅(Cu) 制程的研磨速率(Remove Rate)提高10%-30%。研磨速率(Remove Rate)的提高使客户能够减少研磨时间和研磨液消耗，从而大幅降低耗材的化学机械研磨成本。同时，VISIONPAD™5200研磨垫产品还可将钨（W）和銅(Cu) 的制程缺陷率降低10％至20％，并且以陶氏标准的IC1000™研磨垫产品为基准，还可减低钨（W）制程中的碟形缺陷（Dishing）和腐蚀缺陷（Erosion）。

    Shoemaker 总结说：“得益于我们的全球生产能力，我们不仅能够开发 VISIONPAD™研磨垫等高级技术，而且还能实现批.0量交付，这也是陶氏与全球其他半导体制造商的主要不同之处。”

    为提供最高品质和一致性，所有 VISIONPAD™产品均在陶氏位于台湾、美国和日本的量产工厂采用严格的 SPC/SQC 方法生产。