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SK海力士早就在6月份就宣布正式量产128层堆叠的4D NAND闪存，成为全球首家量产128层闪存的厂家，不过海力士的这个4D NAND本质上其实也是3D NAND，它是把NAND闪存Cell单元的PUC（Peri Under Cell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND闪存，本质上其实还是3D NAND，4D NAND闪存有很强的商业营销味道。
现在SK海力士宣布在这个月正式向客户交付128层4D NAND的工程样品，全部都是TB级的高密度解决方案，包括手机所用的1TB UFS 3.1闪存，消费级的2TB SSD和企业级的16TB E1.L规格SSD，SK海力士的128层4D NAND的Die Size是1Tb，所以可以做到很大的容量，是业内存储密度最高的TLC闪存。
现在1T存储空间的手机需要使用两颗512GB的UFS闪存，在SK海力士的1TB UFS 3.1闪存出货后闪存用量就能减少一半，节约更多的手机主板空间，而这颗1TB的闪存封装厚度仅1mm，是未来超薄5G手机的绝佳选择，预计搭配这款闪存的手机有望在明年下半年量产，而搭载128层堆叠4D NAND的2TB消费级SSD和16TB的E1.L规格的企业级SSD也预计会在明年下半年量产。
单颗1TB？？不得不说海力士确实有点东西，我们都知道大容量是储存类产品未来的发展潮流，固态硬盘也不例外。但目前最高端的2280规格 Nvme固态也只能做到2T，这其实就是受限于单颗颗粒的容量。而海力士的新颗粒可以将这个上限提升一倍，达到4T！4T Nvme与两条2T可不同，对于玩家来说主板的M.2插槽就属于不可再生资源，单条容量越大！未来扩展潜力越强！海力士真的是带来了一个大大的惊喜！
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