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美光科技于今日发表了一篇有关量产GDDR5X芯片的早期报告，并欣喜地表示晶圆方面的进展早于预期，因为这部分有效硅晶片的速率已达到13GB/s（高端GDDR5X规格在10到14Gb/s之间），有些令人难以置信。美光首批GDDR5X芯片采用了20nm制程，单颗容量为8Gb（1GB），预计会在今年夏季进入大规模生产阶段（样产时间为晚春时分）。
尽管JEDEC几周前才宣布了GDDR5X显存芯片的标准，但美光表示，我们有望很快看到速率达到了14GB/s的GDDR5X芯片。
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美光科技于今日发表了一篇有关量产GDDR5X芯片的早期报告，并欣喜地表示晶圆方面的进展早于预期，因为这部分有效硅晶片的速率已达到13GB/s（高端GDDR5X规格在10到14Gb/s之间），有些令人难以置信。美光首批GDDR5X芯片采用了20nm制程，单颗容量为8Gb（1GB），预计会在今年夏季进入大规模生产阶段（样产时间为晚春时分）。
尽管JEDEC几周前才宣布了GDDR5X显存芯片的标准，但美光表示，我们有望很快看到速率达到了14GB/s的GDDR5X芯片。
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