DS1876存储器

　　位于A2h的主器件用于总体器件配置和发送器1的控制、校准、报警、预警及监测。

　　低地址字节存储器，A2h地址从00h至7Fh，包含报警和预警门限、标志位、屏蔽位以及几个控制寄存器、密码输入区(PWE)和表格选择字节。

　　表01h，A2h主要包含用户EEPROM (PW1级访问权限)，以及报警和预警使能字节。

　　表02h，A2h/B2h为多功能区域，包含配置寄存器、比例和偏移量、密码、中断寄存器，以及其它各种控制字节。所有功能和状态可在地址A2h或B2h写入和读取。

　　表04h，A2h包含温度索引查找表(LUT)，用于控制MOD1电压。MOD1 LUT可按照2°C间隔，在-40°C至+102°C范围内设置。该表还包含用于MOD1偏移的温度索引LUT。

　　表05h，A2h默认为空。可配置为包含MASK位使能(表02h，寄存器89h)的表01h、寄存器F8h-FFh的报警和预警使能字节。这种情况下，表01h为空。

　　表06h，A2h包含温度索引LUT，用于APC1电压的控制。APC1 LUT可按照2°C间隔，在-40°C至+102°C范围内设置。该表还包含用于APC1偏移的温度索引LUT。

　　位于B2h的主器件用于发送器2的控制、校准、报警、预警及监测。

　　低地址字节存储器，B2h的地址从00h至7Fh，包含预警和报警门限、标志位、屏蔽位以及几个控制寄存器、密码输入区(PWE)和表格选择字节。

　　表01h，B2h包含报警和预警使能字节。

　　表04h，B2h包含温度索引LUT，用于MOD2电压的控制。MOD2 LUT可按照2°C间隔，在-40°C至+102°C范围内设置。该表还包含用于MOD2偏移的温度索引LUT。

　　表05h，B2h默认为空。可配置为包含MASK位使能(表02h，寄存器89h)的表01h、寄存器F8h-FFh的报警和预警使能字节。这种情况下，表01h为空。

　　表06h，B2h包含温度索引LUT，用于APC2电压控制。APC2 LUT可按照2°C间隔，在-40°C至+102°C范围内设置。该表还包含用于APC2偏移的温度索引LUT。

　　辅助存储器(器件A0h)包含256字节EE存储器，通过地址00h–FFh访问。辅助存储器通过器件地址A0h选择。

　　关于每个字节的功能以及读/写权限的详细信息，请参考下列表格。

　　EEPROM

　　许多非易失(NV)存储器位实际上是EEPROM的映射区域(请参考以下寄存器参考部分)，受控于表02h、寄存器80h的SEEB位。

　　DS1876为关键数据存储器提供EEPROM映射存储地址，可进行多次写操作。默认情况下，映射EEPROM位SEEB并不置位，这些存储器的操作与常规EEPROM相同。通过置位SEEB，存储器功能类似于SRAM单元，允许无限次写操作，无需担心EEPROM的写次数问题。这种功能还不占用EEPROM写时间tWR。由于SEEB使能情况下的任何变化都不影响EEPROM，所以掉电后不会保留这些更改。上电值为SEEB禁用之前最后写入的数值。该功能可用来限制校准期间EEPROM的写操作次数，或者在正常工作期间定期监测门限，有助于减少EEPROM的写次数。存储器说明给出了映射EEPROM的位置。

DS1876存储器

　　寄存器参考

　　下表给出了低地址字节存储器及表00h、01h和02h的简要参考。关于每一位的功能说明，请参考数据资料中相应的寄存器说明。表04h至08h为LUT，无需单独说明，所以未包括在内。关于这些表的详细信息，请参考数据资料。绿色行表示A2h和B2h器件的共用地址;红色的行表示A2h和B2h器件的不同地址;黄色的行表示A2h和B2h器件的混合访问地址。