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3D晶体管
3D晶体管
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相关技术
元器件入门分享之3D晶体管基础知识大放送
发布时间:2020-10-26
一.3D三维晶体管的概念3D三维晶体管.从技术上讲.应该是三个门晶体管.传统的二维门由较薄的三维硅鳍(fin)所取代.硅鳍由硅基垂直伸出.门包围着硅鳍.硅鳍的三个面都由门包围控制.上面的顶部包围一个门.侧面各 ...
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电源硬件技术
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元器件
3D晶体管
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未来处理器基石! 3D晶体管让摩尔定律延续
发布时间:2020-07-02
众所周知.从1965年至今.摩尔定律主导了半导体技术发展.半导体芯片工艺水平以惊人的速度提高.带给我们愈发精彩的IT生活.但是.行至现今.摩尔定律面临着严重挑战.未来处理器的发展.究竟如何让摩尔定律延续?3D ...
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模拟电路设计
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处理器
摩尔定律
3D晶体管
171
英特尔3D晶体管芯片将先在美国和以色列量产
发布时间:2020-06-01
英特尔大连芯片厂总经理柯必杰昨天透露.英特尔内部目前具备22纳米.3维晶体管芯片生产能力的工厂有5个.它们分别是在美国俄勒冈州的试验线D1D和D1C.在美国亚利桑那州的Fab-12和Fab-32.以及在以色列的Fab-28. ...
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半导体生产
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英特尔
量产
3D晶体管
141
英特尔芯片技术大突破:开发首个3D晶体管
发布时间:2020-05-22
北京时间5月5日消息.英特尔今天表示.在微处理器上实现了历史性的技术突破:成功开发世界首个3D晶体管.名叫Tri-Gate. 据英特尔介绍说.3-D Tri-Gate晶体管能够支持技术发展速度.它能让摩尔定律延续数年.该 ...
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嵌入式开发
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英特尔
3D晶体管
Tri-Gate
158
英特尔调整芯片策略 3年内跨向14nm
发布时间:2020-05-15
由于对目前Atom处理器路线图的不满.Intel公司首席执行官Paul Otellini认为应该改变原有路线图.寻找新的中心点.同时Paul Otellini称公司已经加快新款Atom处理器的设计进度.并表示Intel公司的一个目标是在智能手机 ...
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嵌入式开发
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芯片
英特尔
14nm
3D晶体管
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一种全新的新型的多门3D晶体管技术
发布时间:2024-11-03
FinFET技术面临的挑战与发展前景.和传统的平面型晶体管相比.FinFET器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势.FinFET器件是场效应晶体管(FET).名字的由来是因为晶体管的栅极环绕着晶体管的高架通道.FinF ...
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电源硬件技术
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寄生效应
3D晶体管
FinFET技术
24
英特尔将在ISSCC上公布22nm Ivy Bridge技术细节
发布时间:2024-11-03
英特尔将在二月份的国际固态电路会议(ISSCC)上介绍采用了22nm制程技术3D晶体管的四项设计.包括Ivy Bridge处理器. ...
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集成电路设计
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ISSCC
3D晶体管
22nm Ivy Bridge
英特尔Ivy Bridge
151
一文看懂3D晶体管
发布时间:2024-11-03
随着半导体制程工艺的发展.硅晶体管的局限逐渐被显现出来.为了摩尔定律继续生效.业界推出了3D晶体管的的定义.而谈到3D晶体管.就不能不谈Intel的Tri-Gate晶体管和台积电的FinFET制程.我们来深入了解一下吧 ...
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接口
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3D晶体管
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