GaN器件-EDA365

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|相关技术

详解无线设计中的LNA和PA运行

发布时间：2023-03-02

本文来自与非网对性能.小型化和更高频率的需求.正挑战无线系统中两个关键天线连接元器件的限制:功率放大器(PA) 和低噪声放大器(LNA).5G 的发展以及 PA 和 LNA 在微波无线电链路.VSAT(卫星通信系统)和相控阵 ...<全部>

技术百科

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基于GaN器件的驱动设计方案

发布时间：2021-09-14

氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件.能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换.但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固.因此需谨慎应用.集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要.本文着 ...<全部>

总线

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大功率LED材料迎来新成员

发布时间：2021-03-11

超级半导体材料GaN(氮化镓)的时代正开启.它比传统的硅和GaAs(砷化镓)更加耐压.已成为大功率LED的关键材料之一.并在射频领域中受宠.其中包括Cree.RFMD以及Eudyna和Nitronex推出针对这些市场的GaN产品.另外 ...<全部>

接口

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一文掌握 GaN 器件的直接驱动配置!

发布时间：2024-12-23

在设计开关模式电源时.主要品质因数(FOM)包括成本.尺寸和效率.[1]这三个FOM是耦合型.需要考虑诸多因素.例如.增加开关频率可减小磁性元件的尺寸和成本.但会增加磁性元件的损耗和功率器件中的开关损耗 ...<全部>

电源硬件技术

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详解无线设计中的LNA和PA运行

发布时间：2024-12-23

本文将介绍LNA 和PA 的作用和要求及其主要特性.然后介绍典型的GaAs 和GaN 器件以及利用这些器件进行设计时的注意事项. ...<全部>

RF射频

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一颗引发行业变革的红外芯片

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