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详解无线设计中的LNA和PA运行

发布时间：2023-03-02

本文来自与非网对性能.小型化和更高频率的需求.正挑战无线系统中两个关键天线连接元器件的限制:功率放大器(PA) 和低噪声放大器(LNA).5G 的发展以及 PA 和 LNA 在微波无线电链路.VSAT(卫星通信系统)和相控阵 ...<全部>

技术百科

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一文了解砷化镓在半导体器件中有哪些潜力

发布时间：2022-09-01

最近国家十四五规划,把第三代半导体作为重点发展对象,大家都知道第三代半导体以SiC.GaN为代表.但是今天我们聊聊第二代半导体之一的GaAs(另外一个是磷化铟).说到砷化镓做半导体器件,就不得不说说三安光电,厦门三安是做LED起家,最早玩砷化镓LED,现在做到全球最大LED芯片 ...<全部>

集成电路设计

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基于GaAs PIN研制宽带大功率单片单刀双掷开关

发布时间：2022-01-07

PIN 二极管广泛应用于限幅器.开关.衰减器.移相器等控制电路中.与 MESFET 和 PHEMT 器件相比较.PIN 二极管具有插入损耗低.截止频率高.功率容量大的特点.特别适合于制作性能优异的宽带大功率控制电路. ...<全部>

技术百科

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科技发展的另一大支柱.进击的光子学

发布时间：2020-12-31

翻译自--semiwiki.Rich Goldman 在过去.IC和EDA都会成为年度预测的焦点.但是最近我把注意力转向了光子学这个领域. 历史上.光子学一直是GaAs砷化镓的技术;过去是.现在是.将来也是.分析师永远都在预测光子学 ...<全部>

半导体生产

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5-12GHz新型复合管宽带功率放大器设计

发布时间：2020-10-09

随着宽带无线通信系统的不断发展.对高灵敏度.大动态范围.高效率的宽带放大器的需求也越来越大.从某种意义上讲.宽带放大器性能的好坏直接决定着微波系统性能的优劣.然而在宽带放大器的设计过程中.砷化镓异质结 ...<全部>

放大器-比较器-模拟开关

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利用GaAs PHEMT设计MMIC LNA

发布时间：2020-07-07

在通信接收器中低噪声放大器(LNA)对于从噪声中析出信号十分关键.控制系统内噪声还有其他技术.包括过滤和低温冷却.但低噪声放大器的良好性能.提供了一种被实践所验证的可靠的管理通信系统噪声的方法.随之而来的 ...<全部>

模拟电路设计

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DC-40 GHz反射型GaAs MMIC SPST开关

发布时间：2020-06-28

0 引言随着GaAsMMIC技术的发展和成熟.人们对高性能.小型化.超宽带开关的要求越来越迫切.GaAsMMIC开关具有开关速度快.插损小.可靠性高.驱动功耗几乎为零.体积小等特点.能够满足工程应用的系列要求.SPST开关 ...<全部>

模拟电路设计

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设置时间不到20ns的GaAs pHEMT微波开关

发布时间：2020-06-24

开关速度是个涉及多个事件的复杂参数.每个事件都有自己的持续时间.借助已申请专利的pHEMT技术.M/A-COM Technology Solutions公司(下文简称为M/A-COM)已经找到了一种可缩短其中一个事件--开关的设置时间--的方法. ...<全部>

RF技术

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全面解读LED芯片知识

发布时间：2020-06-23

1.LED芯片的制造流程是怎样的?LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极.并能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫.同时尽可能多地出光.渡膜工艺一般用真空蒸镀方法.其主要在1.33×10?4Pa高 ...<全部>

嵌入式开发

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LED
GaAs

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一种可变增益功率放大器的应用设计

发布时间：2020-06-23

采用电路仿真ADS软件进行了原理图及版图仿真.研究了增益控制电路在放大器中的位置对性能的影响.最终实现了在6~9GHz频率范围内.1 dB压缩点输出功率大于33 dBm,当控制电压在-1~0 V之间变化时.放大器的增益在5~40dB ...<全部>

嵌入式开发

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