Transphorm-EDA365

研发资源 > 标签 > Transphorm

|相关技术

Transphorm发布第二款900V GaN FET

发布时间：2020-09-04

日前.设计和制造高压GaN FET供应商Transphorm公司.宣布推出其第二款900V FET.Gen III TP90H050WS(现已开始提供样品).增强了业界唯一的900V GaN产品线.这些器件现在可以使三相工业系统和高压汽车电子产品充分 ...<全部>

模拟器件

|

188

强强联合安森美联合Transphorm推出新款GaN晶体管

发布时间：2020-06-22

推动高能效创新的安森美半导体(ONSemiconductor.美国纳斯达克上市代号:ONNN).和功率转换器专家Transphorm.先前宣布双方建立了合作关系.把基于氮化镓(GaN)的电源方案推出市场.今天美国时间宣布推出联名的NTP8G2 ...<全部>

技术百科

|

155

超大功率.超高效率

发布时间：2020-06-10

电能是现代社会运行的能量基础.电能通过电源设备进行规格转换.将符合要求的电能输送给用电设备.在电源设备转换电能的过程中.会产生能量损耗.电源作为电能与用电设备的接口无处不在.任何一点的损耗都会被极度放 ...<全部>

技术百科

|

77

氮化镓功率技术大热.Transphorm创新HEMT结构

发布时间：2020-05-16

氮化镓技术因其在低功耗.小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力.近年来在功率器件市场大受欢迎.在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上.这个主题受到国内媒体的集体[围观".富士通电子元器件 ...<全部>

材料技术

|

78

Transphorm发布第五代GaN FET

发布时间：2024-11-22

Transphorm公司已经开始发售其第五代GaN FET.符合JEDEC和AEC-Q101标准.包括650V和900V产品.用于高压功率转换应用.这是其专有的SuperGaN品牌下的首款第五代产品.TP65H015G5WS瞄准了电动汽车市场.并提供了SuperG ...<全部>

分离器件设计

|

160

上一个下一个

支持PCIe 6.0！国产时钟芯片的创新发展史

支持PCIe 6.0！国产时钟芯片的创新发展史

|相关标签

|热门文章

强强联合安森美联合Transphorm推出新款GaN晶体管

Transphorm发布第二款900V GaN FET

超大功率.超高效率

氮化镓功率技术大热.Transphorm创新HEMT结构

氮极性GaN商业化突破.Transphorm获得美国防部采购大单