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氮化镓功率技术大热.Transphorm创新HEMT结构

 发布时间：2020-05-16
氮化镓技术因其在低功耗.小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力.近年来在功率器件市场大受欢迎.在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上.这个主题受到国内媒体的集体[围观".富士通电子元器件 ...<全部>
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大热的氮化镓功率技术.[剑走偏锋"的创新高压器件

 发布时间：2024-11-03
氮化镓技术拥有低功耗.小尺寸等特性设计上的独特优势.其优势以及成熟规模化生产能力使其近年来在功率器件市场大受欢迎.在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上.这个主题受到国内媒体的集体[围观". ...<全部>
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C6系列:英飞凌高性能的的下一代CoolMOS MOSFET

 发布时间：2024-11-03
产品特性:极低电容损耗和极低单位面积导通电阻简化了PCB系统布局极低电能和出类拔萃的硬换流耐受性应用范围:个人电脑.笔记本电脑.上网本或手机.照明(高压气体放电灯)产品电视机(液晶或等离子电视机)和游戏 ...<全部>
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