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技术参数
UC2842AN的技术参数
产品型号:UC2842AN关断功能:No输出方式:单路图腾柱输出电流(A):1频率最大值(kHz):450基准电压(V):5启动电流(μA):1000工作电流(mA):11输入电压最小值(V):10输入电压最大值(V):30PWM输出:1封装/温度(℃):8PDIP/-40~85描...
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技术参数
UC2842AN
发布时间:2021-07-28
TL2842D-8的技术参数
产品型号:TL2842D-8关断功能:No输出方式:单路图腾柱输出电流(A):0.200频率最大值(kHz):500基准电压(V):5启动电流(μA):500工作电流(mA):11输入电压最小值(V):10输入电压最大值(V):30PWM输出:1封装/温度(℃):8SOIC/0~70...
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技术参数
TL2842D
发布时间:2021-07-28
MPF4393G的技术参数
产品型号:MPF4393GRDS(on)(Max)(Ω):100Ciss(Max)( pF):10Crss(Max)( pF):3.500VGSS VGDO(Min)(V):30VGS(off)(Min)(V):-VGS(off)(Max)(V):12(Typ)IDSS(Min)(mA):5IDSS(Max)(mA):30Ton(Max)(ns):15Toff(Max)(ns):55封...
技术百科
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技术参数
MPF4393G
发布时间:2021-07-28
NTD20P06LT4G的技术参数
产品型号:NTD20P06LT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):60源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):150最大漏极电流Id(on)(A):15.500通道极性:P沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150描述:-60 V, -15.5 A功率MOSFET价格/1片(套):¥4.60...
技术百科
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技术参数
NTD20P06LT4G
发布时间:2021-07-28
NTD12N10的技术参数
产品型号:NTD12N10源漏极间雪崩电压VBR(V):100源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):130最大漏极电流Id(on)(A):12通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~175描述:12A,100V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):¥4.20...
技术百科
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技术参数
NTD12N10
发布时间:2021-07-28
NTD110N02R-001G的技术参数
产品型号:NTD110N02R-001G源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):4.600最大漏极电流Id(on)(A):110通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 3/-55 ~150描述:24 V, 110 A功率MOSFET价格/1片(套):¥6.00...
技术百科
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技术参数
NTD110N02R
发布时间:2021-07-28
NTD110N02R的技术参数
产品型号:NTD110N02R源漏极间雪崩电压VBR(V):24源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):3.700最大漏极电流Id(on)(A):110通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK/-55~150描述:110A,24V功率MOSFET价格/1片(套):¥9.20...
技术百科
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技术参数
NTD110N02R
发布时间:2021-07-28
NTB85N03的技术参数
产品型号:NTB85N03源漏极间雪崩电压VBR(V):28源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6.100最大漏极电流Id(on)(A):85通道极性:N沟道封装/温度(℃):D2PAK/-55~150描述:85A,28V逻辑电平的功率MOSFET价格/1片(套):¥9.20...
技术百科
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技术参数
NTB85N03
发布时间:2021-07-28
NTB75N03L09T4G的技术参数
产品型号:NTB75N03L09T4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N封装/温度(℃):D2PAK-3/-55~150描述:35V,75A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...
技术百科
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技术参数
NTB75N03L09T4G
发布时间:2021-07-28
NTB75N03L09G的技术参数
产品型号:NTB75N03L09G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8最大漏极电流Id(on)(A):75通道极性:N封装/温度(℃):D2PAK-3/-55~150描述:35V,75A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...
技术百科
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技术参数
NTB75N03L09G
发布时间:2021-07-28
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