技术参数-EDA365

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NTD40N03RT4G的技术参数

产品型号:NTD40N03RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):16.500最大漏极电流Id(on)(A):45通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55 ~150描述:45A, 25V功率MOSFET价格/1片(套):￥3.00...

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发布时间：2021-07-27

TL494CDG的技术参数

产品型号:TL494CDG工作电压(V):7~42输出电压/电流(V/A):(External ref.)/0.2振荡频率(Hz):200K输出方式:开关模式封装/温度(℃):SOIC-16/0~70描述:开关模式PWM控制器价格/1片(套):￥3.20...

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发布时间：2021-07-27

NTD65N03RT4G的技术参数

产品型号:NTD65N03RT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8.400最大漏极电流Id(on)(A):65通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175描述:25V,65A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-27

NTD65N03R-1G的技术参数

产品型号:NTD65N03R-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):8.400最大漏极电流Id(on)(A):65通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-3/-55~175描述:25V,65A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-27

NTD50N03RG的技术参数

产品型号:NTD50N03RG源漏极间雪崩电压VBR(V):25源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):11.700最大漏极电流Id(on)(A):45通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175描述:25V,45A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-27

NTD4813NT4G的技术参数

产品型号:NTD4813NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):13最大漏极电流Id(on)(A):40通道极性:N沟道封装/温度(℃):DPAK 4/-55~175描述:40A,30V,,N沟道功率MOSFET价格/1片(套):￥3.10...

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发布时间：2021-07-27

NTD4806NT4G的技术参数

产品型号:NTD4806NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):6最大漏极电流Id(on)(A):76通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175描述:30V,76A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-27

X4043PI的技术参数

产品型号:X4043PI位密度:4K结构:×8接口:I2C低电平复位:√高电平复位:-工作电压 (V):4.5~5.5复位门限Vtrip(V):4.25~4.5WDT周期(S):Off/.2/.6/1.4封装/温度(℃):8-DIP/-40~85描述:可编程看门狗+上电复位+可设定的低Vcc...

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发布时间：2021-07-27

NTD4809NT4G的技术参数

产品型号:NTD4809NT4G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):9最大漏极电流Id(on)(A):58通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-4/-55~175描述:30V,58A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-27

NTD4805N-1G的技术参数

产品型号:NTD4805N-1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):5最大漏极电流Id(on)(A):88通道极性:N封装/温度(℃):DPAK-3/-55~175描述:30V,88A,N沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-27

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