技术参数-EDA365

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NTGS3441T1G的技术参数

产品型号:NTGS3441T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):2.350通道极性:P沟道封装/温度(℃):TSOP-6/-55 ~150描述:1 A, 20 V功率MOSFET价格/1片(套):￥1.90...

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发布时间：2021-07-26

NTGS3441T1的技术参数

产品型号:NTGS3441T1源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):90最大漏极电流Id(on)(A):1通道极性:P沟道封装/温度(℃):6TSOP/-55~150描述:-3.05A,-30V功率MOSFET和肖特基二极管价格/1片(套):￥2.40...

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发布时间：2021-07-26

NTGS3441PT1G的技术参数

产品型号:NTGS3441PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):110最大漏极电流Id(on)(A):3.160通道极性:P封装/温度(℃):TSOP-6/-55~150描述:20V,3.16A,P沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-26

NTGS3433T1G的技术参数

产品型号:NTGS3433T1G源漏极间雪崩电压VBR(V):12源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75最大漏极电流Id(on)(A):3.300通道极性:P封装/温度(℃):TSOP-6/-55~150描述:12V,3.3A,P沟道MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-26

NTGS3433T1的技术参数

产品型号:NTGS3433T1源漏极间雪崩电压VBR(V):-12源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75最大漏极电流Id(on)(A):-3.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):6TSOP/-55~150描述:-3.05A,-30V功率MOSFET和肖特基二极管价格/1片(套):...

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发布时间：2021-07-26

NTF5P03T3G的技术参数

产品型号:NTF5P03T3G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):100最大漏极电流Id(on)(A):5通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-223/-55 ~150描述:5.2 A, 30 V功率MOSFET价格/1片(套):￥3.10...

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发布时间：2021-07-26

NTGD1100LT1G的技术参数

产品型号:NTGD1100LT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):55最大漏极电流Id(on)(A):3.300通道极性:P沟道封装/温度(℃):TSOP6/-55~150描述:8V.3.3A P沟道MOSFET价格/1片(套):￥2.00...

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发布时间：2021-07-26

X5043PI的技术参数

产品型号:X5043PI位密度:4K结构:×8接口:SPI低电平复位:√高电平复位:-工作电压 (V):4.5~5.5复位门限Vtrip(V):4.25~4.5WDT周期(S):Off/.2/.6/1.4封装/温度(℃):8-DIP/-40~85描述:可编程看门狗+上电复位+可设定的低Vcc...

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发布时间：2021-07-26

NTF6P02T3G的技术参数

产品型号:NTF6P02T3G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):50最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-223/-55 ~150描述:-20 V, -6.0A功率MOSFET价格/1片(套):￥3.60...

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发布时间：2021-07-26

NTF6P02T3的技术参数

产品型号:NTF6P02T3源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):44最大漏极电流Id(on)(A):6通道极性:P沟道封装/温度(℃):SOT-223/-55~150描述:-2.3A,-20V功率MOSFET和肖特基二极管价格/1片(套):￥3.60...

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发布时间：2021-07-26

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