技术参数-EDA365

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NTHS4501NT1G的技术参数

产品型号:NTHS4501NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):38最大漏极电流Id(on)(A):6.700通道极性:N沟道封装/温度(℃):ChipFET /-55~150描述:30 V, 6.7 A功率MOSFET价格/1片(套):￥2.50...

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发布时间：2021-07-26

NTHS4101PT1G的技术参数

产品型号:NTHS4101PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):34最大漏极电流Id(on)(A):6.700通道极性:P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-20 V, -6.7 A,功率MOSFET价格/1片(套):￥2.80...

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发布时间：2021-07-26

NTHS2101PT1G的技术参数

产品型号:NTHS2101PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):8源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):25最大漏极电流Id(on)(A):7.500通道极性:P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-8 V, -7.5 A功率MOSFET价格/1片(套):￥2.80...

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发布时间：2021-07-26

X5163S8I的技术参数

产品型号:X5163S8I位密度:16K结构:×8接口:SPI低电平复位:√高电平复位:-工作电压 (V):4.5~5.5复位门限Vtrip(V):4.25~4.5WDT周期(S):Off/.2/.6/1.4封装/温度(℃):8-SO/-40~85描述:可编程看门狗+上电复位+可设定的低Vcc...

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发布时间：2021-07-26

NTHD4P02FT1G的技术参数

产品型号:NTHD4P02FT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:P沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:-20 V, -3.0 A,功率MOSFET价格/1片(套):￥2.80...

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发布时间：2021-07-26

NTHD4N02FT1的技术参数

产品型号:NTHD4N02FT1源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):60@-4.5V最大漏极电流Id(on)(A):2.700通道极性:N沟道封装/温度(℃):ChipFET/-55~125描述:-2.7A,-20V P沟道功率MOSFET和肖特基二极管价...

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发布时间：2021-07-26

NTHD4508NT1G的技术参数

产品型号:NTHD4508NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75最大漏极电流Id(on)(A):4通道极性:N沟道封装/温度(℃):ChipFET /-55~150描述:20 V, 4.1 A功率MOSFET价格/1片(套):￥2.40...

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发布时间：2021-07-26

NTHD4502NT1G的技术参数

产品型号:NTHD4502NT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):30源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):85最大漏极电流Id(on)(A):3.900通道极性:N封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:30V,3.9A,N沟道双MOSFET价格/1片(套):暂无...

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发布时间：2021-07-26

MC33363AP的技术参数

产品型号:MC33363AP最大工作电压(V):40开关可承受电压(V)/电流(A):700/0.9控制方式:PWM电流模式开关频率(KHz):300封装/温度(℃):DIP-16/-25~150描述:离线AC-AC开关调节器价格/1片(套):￥20.00...

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NTHD4401PT1G的技术参数

产品型号:NTHD4401PT1G源漏极间雪崩电压VBR(V):20源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):155最大漏极电流Id(on)(A):3通道极性:P封装/温度(℃):ChipFET/-55~150描述:20V,3A,P沟道双MOSFET价格/1片(套):￥4.50...

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发布时间：2021-07-26

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