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DRAM
台美日DRAM厂连手 抗韩策略发酵
两大韩系内存厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)纷传出将大幅调高2010年资本支出.继三星预计投入30亿美元扩产及制程微缩后.海力士2010年资本支出亦将倍增至20亿美元.使得尔必达(Elpida)和美光(Micro...
材料技术
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DRAM
NAND
Samsung
发布时间:2020-05-16
全球DRAM平均售价将降低 5大迹象十分清晰
内存芯片在2017年掀起一阵狂热.价格只增不减.纵观2018年甚至2019年局势.5大迹象显示内存芯片「超级循环」将结束.全球 DRAM 的平均售价将降低.在苹果下调 iPhoneX 产量.以及大陆半导体公司预计在 2019 年将完成...
存储技术
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三星
DRAM
NAND
发布时间:2020-05-16
全球DRAM产业再度面临二次崩盘潮的危机
全球DRAM产业再度面临二次崩盘潮的危机.虽然2010年上半年在供给不足的情况下.DRAM报价达到顶峰.但下半年却意外遇上个人计算机(PC)产业旺季不旺.加上DRAM产业供给端大量产出.使得DRAM价格再度面临崩盘窘境.时至...
存储技术
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DRAM
ddr
发布时间:2020-05-16
二季度DRAM全球排名 三星居榜首
iSuppli公布.三星二季度DRAM全球市场占有率升值41.6%.位居榜首.海力士第二. 据韩联社9月4日报道.市场研究公司iSuppli表示.今年第二季度三星电子动态随机存取内存(DRAM)全球市场占有率位居第一. 据统计...
存储技术
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三星
DRAM
排名
发布时间:2020-05-16
中国市场DRAM消耗量今年可达120亿美元
TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新研究显示.由于中国内需市场胃纳量庞大.在伺服器以及智慧型手机的出货需求持续攀升.DRAMeXchange预估2015年中国内需市场在DRAM与NAND的总消化量换算产值高达120亿...
存储技术
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DRAM
发布时间:2020-05-16
下世代DDR4 DRAM 功能更强
在英特尔下一代处理器将支援新世代记忆体DDR4 DRAM下.包括三星.美光及海力士及相关模组厂.近期也相继导入DDR4 DRAM试产行动.业者强调.DDR 4 DRAM因功耗低.运算速度更快.且支援矽钻孔(TSV)3D IC设计.预料明...
存储技术
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DRAM
DDR4
TSV
DD3
发布时间:2020-05-16
三星量产第二代10nm级DRAM芯片
12月20日消息.路透社报道称.三星电子表示.已经开始量产业界首款.采用第二代10nm工艺(1y-nm)级别的DRAM芯片.第二代10纳米级芯片比第一代芯片快10%.功耗降低15%.三星在公开声明中称.[第二代10纳米级8Gb DRAM...
存储技术
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三星
DRAM
10nm
发布时间:2020-05-16
半导体产能满载硅晶圆酝酿3Q再涨10~30%
半导体硅晶圆第3季再传涨声.由于目前晶圆代工与DRAM厂产能吃紧.然而硅晶圆产能尚未恢复先前的规模.造成供应短缺.第1季与第2季已分别调涨5%及10~20%.第3季可能再调涨15~30%.对晶圆厂来说.成本压力恐将再增. ...
材料技术
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半导体
DRAM
硅晶圆
产能
发布时间:2020-05-16
三星电子完成20纳米Mobile DRAM正式量产
三星电子(Samsung Electronics)在稍早正式量产20奈米Mobile DRAM.将有望帮助三星提高生产力以及成本竞争力.尤其在竞争对手们仍停留在20奈米中段制程的情况下.随着三星在20奈米时代下画上句点.分析认为.三星将有...
存储技术
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三星
DRAM
20纳米
发布时间:2020-05-16
三星制定DRAM发展蓝图 15纳米是制程微缩极限
三星电子为了巩固存储器霸业.制定 DRAM 发展蓝图.擘划制程微缩进度.业界预估.15 纳米可能是 DRAM 制程微缩的极限.担忧三星遭中国业者追上.韩媒 etnews 18 日报导.业界消息称.三星去年开始量产 18 纳米 DRAM...
存储技术
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三星
DRAM
15纳米
发布时间:2020-05-16
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