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COT控制模型逻辑

 在强制CCM模式下.电感电流反向将会带来较大的损耗....
发布时间：2022-03-07

三相1200V/450A SiC MOSFET电动汽车智能功率模块

 三相1200V/450A SiC MOSFET电动汽车智能功率模块-该智能功率模块是为高热环境的稳定性应用而设计的.额定的 最高结温为 175℃.栅极驱动器本身具备在最高环境工作温度为 125℃的情况下.长时间工作的增强的耐热能力....
发布时间：2022-03-03

电源IC主要部件的选型:MOSFET Q1

 电源IC主要部件的选型:MOSFET Q1-MOSFET的选型需要考虑最大漏极-源极间电压.峰值电流.导通电阻Ron的损耗.封装的最大容许损耗等....
发布时间：2022-02-18

内置高耐压低导通电阻MOSFET的降压型1ch DC/DC转换器

 ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC[BD9G341AEFJ".80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型DC/DC转换器IC的业界水平.在ROHM的DC/DC转换器产品阵容中也是耐压的机型.高耐压的DC/DC转换器在以电信相关和...
发布时间：2022-02-14

PMOS开关管的工作原理和如何进行选择

 PMOS开关管的工作原理和如何进行选择-在电路中常见到使用MOSFET场效应管作为开关管使用.下面举例进行说明....
发布时间：2022-02-12

可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝新器件结构问世

 东京--东芝电子元件及存储装置株式会社(简称[东芝")今日宣布了一种可提高碳化硅(SiC)MOSFET[1]可靠性的新器件结构问世.相较于东芝的典型器件结构.MOSFET内嵌的肖特基势垒二极管[2](SBD)可在抑制导通...
发布时间：2022-02-07

改善基本电流镜电路的两大技术:威尔逊电流镜电路和维德拉电流源电路

 为了得到稳定的输出.我们必须在电流镜电路上加入另外的技术....
发布时间：2022-01-14

N-Channel MOSFET 失效分析

 客户反馈其生产的某批次产品出现不能正常开机的现象.对失效产品局部加热后.产品又能恢复正常工作. 1 失效背景 客户反馈其生产的某批次产品出现不能正常开机的现象.对失效产品局部加热后.产品又能恢复正...
发布时间：2022-01-11

ST发布采用第六代STripFET技术的功率MOSFET用于服务器电源

 产品特性:60V和80V击穿电压0.0016Ω通态电阻 (STH260N6F6-2)180A额定电流 (STx260F6N6)100%雪崩测试应用范围:太阳能发电应用.电信设备联网设备以及服务器电源横跨多重电子应用领域.全球领先的功率芯片供应商意法...
发布时间：2022-01-06

DirectFET封装技术为服务器VRM提供解决方案

 中心论题:DirectFET封装技术.电压调整模块设计介绍.VRM的效率和载流能力.解决方案:DirectFET封装结构显著提高效率和载流能力.硅片上适当的钝化使源极和漏极绝缘防止短路.大面积接触铜外壳显著改善了散热能力...
发布时间：2021-12-29
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