MOSFET-EDA365

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安森美推出两款新的MOSFET器件使电池使用时间提升至极致

2013年6月5日 – 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor.美国纳斯达克上市代号:ONNN) 推出两款新的MOSFET器件.用于智能手机及平板电脑应用.作为锂离子电池充电/放电保护电路开关的关键组成部分.EFC660...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-23

安森美推出带开关控制器的电流镜及功率MOSFET

系统级电源管理方案为便携计算机及网络设备的组合型低功率电流监测提供支持2011年8月18日 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor.美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出带开关控...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-23

士兰微电子推出新一代高压MOSFET F-Cell系列

士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品--F-CellTM系列高压MOSFET.这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品.工作电压可以覆盖400V-900V区间.工作电流在1A-18A之间.可以兼容多晶稳压管结...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-23

安森美半导体发布100V N沟道MOSFET系列

安森美半导体(ON Semiconductor)扩充N沟道功率MOSFET系列.新增12款100V器件.安森美半导体经过完备测试的N沟道功率MOSFET提供高达500mJ的业界领先雪崩额定值.非常适用于要顾虑因非钳位电感型负载引致过渡电压应力...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-23

安森美半导体推出新的高密度沟槽MOSFET

安森美半导体(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V).N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET).这些MOSFET采用DPAK.SO-8FL.µ8FL及SOIC-8封装. 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高...

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发布时间：2020-05-23

安森美半导体推出高压MOSFET系列

安森美半导体(ON Semiconductor)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容.推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)系列.这些新方案的设计适合功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PWM)...

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发布时间：2020-05-23

全球首款低于1毫欧.SO8封装的MOSFET

日前.恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布推出全球首款N通道.1毫欧以下25V MOSFET产品.型号为PSMN1R2-25YL.它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM 参数.该产品是迄今为止采用Power-SO8封装(无损耗封装:...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-23

内置高压MOSFET电流模式电源控制器

杭州士兰微电子即将推出应用于开关电源的内置高压MOSFET.电流模式PWM+PFM控制器--SD486X系列芯片.该系列芯片具有低功耗.低启动电流和较低的EMI.最高效率可以达到84%以上.启动电压.输出电压和最大功率均可调节...

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发布时间：2020-05-23

全新的适用于高压功率MOSFET的无管脚SMD封装

英飞凌科技股份公司近日推出适用于高压功率MOSFET的全新无管脚SMD封装ThinPAK 8x8.新封装的占板空间仅为64平方毫米(D2PAK的占板空间为150平方毫米).高度仅为1毫米(D2PAK的高度为4.4毫米).大幅缩小的封装尺寸...

分离器件设计

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发布时间：2020-05-23

LLC谐振转换器中怎样做才不会出现MOSFET故障

为了降低能源成本.设备设计人员正在不断寻找优化功率密度的新方法.通常情况下.电源设计人员通过增大开关频率来降低功耗和缩小系统尺寸.由于具有诸多优势如宽输出调节范围.窄开关频率范围以及甚至在空载情况下都...

放大器-比较器-模拟开关

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发布时间：2020-05-22

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EITIA线上云展+电子互连技术公开课正式启动！提前报名畅享三重好礼！

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