研发资源 > 标签 > MOSFET

安森美半导体发布新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET

 推动高能效创新的安森美半导体 (ON Semiconductor.美国纳斯达克上市代号:ON).发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件.适用于功率密度.能效和可靠性攸关的高要求应用....
发布时间：2021-09-14

OPPO入股电源芯片厂商威兆半导体

 与非网3月9日讯 企查查 App 显示.3 月 5 日.深圳市威兆半导体有限公司(简称威兆半导体)发生工商变更.新增股东 OPPO 广东移动通信有限公司.苏州汾湖勤合创业投资中心 (有限合伙)....
发布时间：2021-08-05

IR新款25 V及30 V 高性能PQFN功率MOSFET系列

 国际整流器公司 (International Rectifier.简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件.采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装.为电信.网络通信和高端台式机及笔记本电脑应用的DC-DC转换器提供了...
发布时间：2021-08-04

安森美半导体推出符合汽车标准的MOSFET驱动IC

 安森美半导体(ON Semiconductor.美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET.这系列器件通过了AEC-Q101标准认证.非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用. ...
发布时间：2021-08-03

短沟道MOSFET散粒噪声测试方法研究

 近年来随着介观物理和纳米电子学对散粒噪声研究的不断深入.人们发现散粒噪声可以很好的表征纳米器件内部电子传输特性.由于宏观电子元器件中也会有介观或者纳米尺度的结构.例如缺陷.小孔隙和晶粒等.因而也会产生...
发布时间：2021-08-03

Vishay Siliconix推出60V 功率MOSFET

 日前.Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400.该器件为业界最小的60V功率MOSFET.比SC-70和SC-90等封装能节约更多的空间. ...
发布时间：2021-08-03

瑞萨科技发布与DrMOS相兼容的MOSFET

 株式会社瑞萨科技(以下简称瑞萨)宣布推出R2J20653ANP.一款适用于笔记本电脑用CPU及存储器等器件中稳压器(VR)的Integrated Driver-MOSFET.它符合Integrated Driver-MOSFET (DrMOS)标准.并具有支持高达27V电压...
发布时间：2021-08-03

PCB设计中如何提高超级结MOSFET的性能

 基于最近的趋势.提高效率成为关键目标.为了获得更好的EMI而采用慢开关器件的权衡并不值得.超级结可在平面MOSFET难以胜任的应用中提高效率.与传统平面MOSFET技术相比.超级结MOSFET可显著降低导通电阻和寄生电容...
发布时间：2021-08-02

探讨采用绿色塑料封装的功率MOSFET性能

 摘要 绿色指令推动半导体厂家在其微电子产品封装中摒弃氧化锑.阻燃剂及卤代化合物之类的环境有害物质.然而人们可能担心.绿色封装中的新化学材料有可能影响半导体器件的性能.为此.我们通过热压应力测试对采...
发布时间：2021-07-29

功率MOSFET在集成驱动电路中的设计应用简析

 功率MOSFET目前在一些大中型开关电源的驱动电路中得到了广泛的应用.此前我们曾经为大家总结了几种MOSFET在驱动电路中的常见应用方式.在今天的文章中.我们将会就功率MOS管在集成芯片UC3724/3725构成的驱动电路中的...
发布时间：2021-07-29
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