MRAM-EDA365

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MRAM技术发展前景分析

MTJ的数据存储依赖于由MgO和CoFeB层之间的界面各向异性产生的垂直磁各向异性(PMA).电流可以将自由层的CoFeB磁性状态切换为与参考层平行(P)或反平行(AP).如果是平行.则MTJ电阻较低.如果是反平行的.则电阻...

存储技术

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MRAM

发布时间：2020-05-15

新一代存储技术特点.比较和研发进展介绍

近十年来.在高速成长的非易失性存储器(NVM)市场的推动下.业界一直在试图利用新材料和新概念发明一种更好的存储器技术.以替代闪存技术.更有效地缩小存储器.提高存储性能.目前具有突破性的存储技术有铁电RAM(...

存储技术

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发布时间：2020-05-15

神秘拆解:新一代MRAM能否取代闪存?

长久以来.我们这些缺乏耐性的人.一直期待着所有消费电子产品的开机时间能尽量缩短.愈快愈好.刚刚才打入消费市场的固态硬盘(SSD).已经能大幅缩减用户等待开机或将机器从睡眠中唤醒的时间.事实上.SSD已经能实...

存储技术

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发布时间：2020-05-15

BittWare对Eideticom进行战略投资并拓宽基于FPGA的 NVMe加速器产品组合以将EDSFF纳入其中

Molex旗下的 BittWare 公司是一家采用FPGG技术的企业级 NVMe 存储平台领域领先供应商.宣布将对 Eideticom 进行战略投资并开展协作 – 后者在高增长的新兴计算存储市场上是广受认可的领导者....

可编程逻辑

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发布时间：2024-11-22

自旋芯片或成后摩尔时代主流芯片?

后摩尔时代.自旋芯片有可能突破微电子器件的限制.成为主流芯片吗?...

技术百科

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发布时间：2024-11-22

存储新秀FeFET能否挑战MRAM.取替嵌入式闪存?

最近.FeFET初创者FMC获得了包括默克.SK Hynix.IMEC.Robert Bosch和Tokyo Electron以及现有的投资者eCapital等公司提供的超过2000万美元的资金.在这里.我们采访了该公司的首席执行官Ali Pourkeramati.希望听到...

存储技术

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MRAM
FeFET

发布时间：2024-11-22

非易失性存储器MRAM与FRAM的比较

[永久性存储器"通常是指驻留在存储器总线上的高性能.可字节寻址的非易失性存储设备....

嵌入式开发

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发布时间：2024-11-22

MRAM与FRAM技术有何差异

MRAM与FRAM技术有何差异-FRAM中的读取操作具有破坏性.因为它需要切换极化状态才能感知其状态.在初始读取之后.读取操作必须将极化恢复到其原始状态.这会增加读取时间的周期....

存储技术

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发布时间：2024-11-22

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