SRAM-EDA365

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基于SRAM/DRAM的大容量FIFO的设计与实现

1 引言FIFO(First In First Out)是一种具有先进先出存储功能的部件.在高速数字系统当中通常用作数据缓存.在高速数据采集.传输和实时显示控制领域中.往往需要对大量数据进行快速存储和读取.而这种先进先出的结构...

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发布时间：2020-06-23

非易失性SRAM DS1747

DS1747是功能完备.2000年兼容(Y2KC)的实时时钟/日历(RTC)和512k x 8非易失性SRAM.用户可通过如图1所示的单字节宽度的接口对DS1747内部的所有寄存器进行访问.RTC信息和控制位占用RAM中最高的8个地址.RTC寄存器包...

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SRAM
DS1747

发布时间：2020-06-23

基于FPGA与SRAM的大容量数据存储的设计

1 前言针对FPGA中内部BlockRAM有限的缺点.提出了将FPGA与外部SRAM相结合来改进设计的方法.并给出了部分VHDL程序.2 硬件设计这里将主要讨论以Xilinx公司的FPGA(XC2S600E-6fg456)和ISSI公司的SRAM(IS61LV25616AL)为...

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发布时间：2020-06-23

基于DSl210的微处理器存储系统电源监控

0 引言在现代电子系统之中.特别是对于一些逻辑芯片或者微处理器来说.如果工作电源所提供的电压超过了正常的电源电压范围.就可能会发生逻辑混乱.信号干扰等一些意想不到的问题.微处理器系统对电源的要求也就...

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发布时间：2020-06-22

起因于RTN的SRAM误操作进行观测并模拟的方法

瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声(RTN:Random Telegraph Noise)的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法.利用该方法可高精度地估计22nm以后尖端LSI中的RTN影响.适当设定针对RTN的设计余度.该公司已在[2010 ...

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发布时间：2020-06-22

SoC用低电压SRAM技术

东芝在[2010 Symposium on VLSITechnology"上.发布了采用09年开始量产的40nm工艺SoC的低电压SRAM技术.该技术为主要用于便携产品及消费类产品的低功耗工艺技术.通过控制晶体管阈值电压的经时变化.可抑制SRAM的最...

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发布时间：2020-06-20

SRAM简介及与DRAM/SDRAM的比较

RAMRAM是指通过指令可以随机的.个别的对各个存储单元进行访问的存储器.一般访问时间基本固定.而与存储单元地址无关.RAM的速度比较快.但其保存的信息需要电力支持.一旦丢失供电即数据消失.所以又叫易失性存储...

嵌入式开发

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发布时间：2020-06-20

SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式设计中的作用

上世纪90年代中期.英特尔决定把SRAM整合到自己的处理器中.这给世界各地的独立式SRAM供应商带来[灭顶之灾".最大的SRAM市场(PC 高速缓存)一夜之间销声匿迹.只留下少数细分市场应用.SRAM的[高性能存储器(访问时间...

嵌入式开发

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发布时间：2020-06-20

从Flash和SRAM中触发中断的过程示例

使用LPC2106的Timer 1 进行的简单的中断处理.示例代码中Timer1分为FIQ和IRQ.用户可以从Flash或者SRAM中运行这些代码.示例展示了ARM构架中中断是如何操作的.提供的代码表示了向量IRQ(中断请求)和FIQ(快速中断)两...

嵌入式开发

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发布时间：2020-06-20

Keil MDK编译器下查看占用Flash和SRAM空间大小

在Keil MDK编译器编译后.信息栏都会显示编译情况.这其中就包含了FLASH跟SRAM的信息.如下图所示./*********************************************************************************************/查看FLASH跟S...

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发布时间：2020-06-19

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Ecosmos携手第二十六届高交会，开启元宇宙展会新纪元

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