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看好SiC发展前景.派恩杰半导体获天使轮融资

 第三代半导体功率器件设计和方案商派恩杰半导体(杭州)有限公司(下称[派恩杰半导体")近日完成了数千万元天使轮融资.本轮融资由深圳创东方投资(下称[创东方")投资.派恩杰半导体持续专注于碳化硅和氮化镓功率器...
发布时间：2021-11-09

智能功率模块加速迈向SiC的电动汽车

 当前.新型快速开关的碳化硅(SiC)功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应.SiC器件的一系列特性.如高阻断电压.低导通电阻.高开关速度和耐高温性能.使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充电器的...
发布时间：2021-10-19

2021年第三代半导体成长力道强劲 GaN功率器件产值年增90.6%为最

 根据TrendForce集邦咨询调查.2018至2020年第三代半导体产业陆续受到中美贸易摩擦.疫情等影响.整体市场成长动力不足致使成长持续受到压抑....
发布时间：2021-10-09

安森美全新650V SiC MOSFET 具备更优秀的开关和热性能

 安森美半导体发布一系列新的碳化硅(SiC) MOSFET器件.适用于功率密度.能效和可靠性攸关的高要求应用.设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术.将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC).太阳能逆变器.服务器电源(PSU...
发布时间：2021-09-24

GeneSiC推出第三代1200V SiC MOSFET

 SiC功率半导体供应商GeneSiC日前宣布推出其第三代1200V G3R SiC MOSFET.其导通电阻(RDS(ON))范围为20mΩ至350mΩ.据称.该系统具有业界领先的性能.鲁棒性和质量.可带来的好处包括更高的效率.更快的开关频率....
发布时间：2021-09-14

如何利用SiC器件在开关电源转换器中的性能优势

 半导体行业在过去的几十年里.已经采取了许多措施来改善基于硅MOSFET (parasitic parameters).以满足开关转换器(开关电源)设计人员的需求.行业效率标准以及市场对效率技术需求的双重作用.导致了对于可用于构建...
发布时间：2021-09-02

科锐新型SiC功率模块为电动车和太阳能市场注入更强动力

 全球碳化硅技术企业科锐Cree, Inc. (Nasdaq: CREE)宣布.推出Wolfspeed WolfPACK™功率模块.扩展其解决方案范围.并为包括电动汽车快速充电.可再生能源和储能.工业电源应用在内的各种工业电源的性能开启新时代.通...
发布时间：2021-08-26

高可靠性1700V全SiC功率模块

 BSM250D17P2E004.1700V耐压产品的需求高涨.采用新的芯片涂覆材料和工艺方法.绝缘击穿.高温高湿反偏试验.HV-H3TRB.导通电阻降低10%.ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆...
发布时间：2021-07-26

东芝全新SiC MOSFET提升工业设备效率和小型化

 东芝电子元件及存储装置株式会社([东芝")宣布.面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模块---[MG800FXF2YMS3".该产品将于2021年5月投入量产.为达到175℃的...
发布时间：2021-07-17

谁能掌握SiC技术便可引领半导体行业发展

 日前.德国大厂英飞凌宣布.已收购一家名为Siltectra的初创企业.将一项创新技术(ColdSpilt)也收入了囊中.[冷切割"是一种高效的晶体材料加工工艺.能够将材料损失降到最低.英飞凌将把这项技术用于碳化硅(SiC)晶...
发布时间：2021-07-15
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