半导体产业抵达10纳米制程的路途漫长而艰辛，但英特尔(Intel)似乎找到如何发挥这个制程优点的方式，即将发布的首个Cannon Lake笔记型电脑(NB)料将展现成果。

英特尔继3年前在国际电子元件大会(IEDM)大会发布14纳米技术，近一年前在CES中展示Cannon Lake NB之后，英特尔在2017年的IEDM中首次开始公开说明10纳米制程细节，并且展示面积1平方厘米晶粒范围内封装1亿颗电晶体的成果，宣称是迄今密度最高的CMOS电晶体。

英特尔年初在Technology and Manufacturing Day曾说明10纳米技术的基本功能，此制程鳍片的间距为34纳米，闸极间距为54纳米，最小的金属间距为36纳米。英特尔自从180纳米之后即持续将每个世代的SRAM单元体积缩小0.5倍，10纳米为0.0312平方微米。这样的尺寸类似晶圆厂为苹果(Apple)、NVIDIA和高通(Qualcomm)以7纳米制程制造的芯片。

英特尔这次在IEDM上提供更多制造步骤、功能和材料细节。10纳米制程采用英特尔第3代3D鳍式电晶体(FinFET)，当鳍片更薄、更高时，性能也会更佳，10纳米制程的鳍片宽度只有7纳米，高度46纳米(先前英特尔曾提到是53纳米)，高度可以随着不同的应用而调整，缩放范围是5纳米。

英特尔微缩制程的标准193纳米浸润式微影(immersion lithography)工具是采用所谓的自对准四重图案(Self-Aligned Quadruple Patterning；SAQP) 来制造鳍片，过程增加四个额外的步骤来提高密度。英特尔还在标准单元(cell)中减少鳍片数量，同时引用两种新技巧来增加密度。第一个是消除边界主动式单元的假性闸极(dummy gate)，另外一个是有源闸极上接触（contact-over-active-gate，COAG)，将介层(via)直接置入主动式闸极区，这需要三个额外的步骤，单元面积则缩小10%。

按照英特尔的估算方式，英特尔的密度有加速提升的趋势，从45纳米到22纳米的2倍，到14纳米和10纳米时提高为2.7倍。不过，英特尔似乎计划进一步加快速度，该公司Technology and Manufacturing Group副总裁Chris Auth透露，未来每两年晶粒的密度将会增加1倍。

随着鳍片间距缩小，接触到的电阻较低，英特尔最新制程的电晶体的性能进一步提升，先前曾表示相较于14纳米，10纳米性能将增加25%，消耗电力减少近一半。但在IEDM上英特尔表示，10纳米驱动电流比NMOS电晶体增加71%，比PMOS增加35%。

英特尔并未说第一个10纳米处理器何时推出，但首个家族成员Cannon Lake可能2018年出现在笔记型电脑之中。