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DALSA旗下的专业与客制化晶圆制造服务供货商DALSA Semiconductor日前宣布，已完成透过法国的奈米金属化技术专家Alchimer之eG ViaCoat制程，在穿硅导孔结构(TSV)上建立均匀铜金属种晶层之测试。完成这些成功测试后，DALSA计划取得Alchimer的技术授权，以强化其微机电系统(MEMS)制造能力。
DALSA Semiconductor 技术研发副总裁Luc Ouellet表示：「多年来，DALSA Semiconductor 已针对其3D整合技术，运用先钻孔(via-first)制造出低成本的微机电产品，透过Alchimer的铜eG ViaCoat 方式，我们将能以更快速的操作频率及更高的功率密度，甚至以更低的阻抗及更高的热散，来支持消费性微机电产品开发。Alchimer的TSV方式是一项策略性技术，其能使我们在此具成本敏感性的市场中大量生产MEMS 组件。」
Alchimer的eG ViaCoat是一项电化学镀膜制程，其能各种先进的3D封装应用中支持TSV的铜金属种晶金属化。和干式真空制程相比，eG ViaCoat能节省超过50%的持有成本。
除与DALSA达成授权协议外，Alchimer亦在深层再回流TSV上展现优异的涵盖率。再回流TSV的表面直径小于底部的直径，是透过速度更快的Bosch深层反应离子蚀刻(DRIE)制程所制造的特殊形状。由于eG ViaCoat能在再回流结构上达到优异的阶梯覆盖率，它让业者能采用高蚀刻速率的Bosch制程，让DRIE步骤的成本减少50%。
除了更快的DRIE步骤省下的成本，铜金属种晶金属化步骤还能节省许多开支。Alchimer亦成功展示后续在这些深层再回流TSV结构上填入无空洞铜金属材料。
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