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据报道，日本DAINIPPON SCREEN MFG的半导体设备公司开发出了高精度清除附着于晶圆斜面（端面及其邻接倾斜部分）的金属膜的蚀刻清洗技术“Bevel Etching Chamber（BEC）”。通过采用新的晶圆夹紧装置和处理方法等，改进了原有的斜面部分的蚀刻工艺。
通过提高晶圆定位的精确度，可以在距离端面1～3mm的范围内以0.1mm单位控制蚀刻宽度。由于蚀刻的宽度便于更改，因此还能够灵活应对规格所容许的晶圆直径偏差。同时，通过进一步追求晶圆处理的均匀性，可提高每片晶圆的生产效率以及蚀刻工序的成品率。
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