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射频功率晶体管
射频功率晶体管
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相关技术
飞思卡尔首推蜂窝移动通信基站用氮化镓射频功率晶体管
发布时间:2020-06-29
飞思卡尔已实现该器件的量产.该器件完美结合了高效率.高增益及射频输出功率 2015年5月19日.亚利桑那州凤凰城讯(2015国际微波研讨会)-飞思卡尔半导体公司 [NYSE: FSL] 日前推出了其首款蜂窝移动通信基站专 ...
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分离器件设计
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基站
氮化镓
飞思卡尔
射频功率晶体管
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飞思卡尔发布全新射频功率晶体管.可支持700至2700MHz频段
发布时间:2020-06-08
大功率射频(RF)晶体管的全球领导者飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案.覆盖了所有主要的蜂窝基础设施频段.这两款解决方案均采用小巧的封装.却具有业界领先的增益性能.AFT27S006N的峰值 ...
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技术百科
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射频功率晶体管
AFT27S010N
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埃赋隆半导体高效率750W射频功率晶体管
发布时间:2020-06-01
埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出一款高效率750W射频功率晶体管BLF0910H9LS750P.它在915MHz时效率为72.5%.为同类最佳.其坚固耐用型设计也使其成为了工业和专业射频能源应用的理想选择. 该器件的工作频率范围 ...
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半导体生产
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射频功率晶体管
埃赋隆
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美公司推出全球首款新型氮化镓晶圆
发布时间:2020-05-16
据中国国防科技信息网报道.美国射频微系统公司(RFMD)日前推出世界首个用于制造射频功率晶体管的碳化硅基氮化镓晶圆.以满足军用和商用需求.该公司实现了从现有高产量.6寸砷化镓晶圆生产向6寸氮化镓晶圆生产和研 ...
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材料技术
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射频功率晶体管
碳化硅基氮化镓晶圆
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射频功率晶体管耐用性的验证
发布时间:2024-12-23
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用.针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配.即使在满输出电平时也是如此.现在多家制造 商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管.这种产 ...
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技术百科
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晶体管
LDMOS
射频功率晶体管
耐用性
MRF6VP8600HR6
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恩智浦推出塑料封装射频功率晶体管
发布时间:2024-12-23
中国上海.2011年6月讯--恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.(NASDAQ:NXPI)今日推出全系列超模压塑料(OMP)射频功率器件.其峰值功率可达2.5W到200W.新型OMP器件系列将进一步 补充 恩智浦的陶瓷封装产品线.在 ...
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技术百科
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恩智浦
射频功率晶体管
塑料封装
OMP器件
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915MHz高效750W射频功率晶体管可实现更紧凑的功率放大器设计
发布时间:2024-12-23
埃赋隆半导体(Ampleon)今天宣布推出一款高效率750W射频功率晶体管BLF0910H9LS750P.它在915MHz时效率为72.5%.为同类最佳.其坚固耐用型设计也使其成为了工业和专业射频能源应用的理想选择. ...
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RF射频
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射频功率晶体管
功率放大器设计
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[主流GaN"的发展和未来
发布时间:2024-12-23
业界认为.GaN(氮化镓)技术最有可能替代硅成为诸多射频应用的新宠.虽然得益于其性能优势产生了巨大的行业利益.但该项技术至今仍在成本方面面临重大挑战.本周在蒙特利尔召开的IEEE MTT-S国际微波研讨会上.恩智 ...
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技术百科
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gan
氮化镓
恩智浦
射频功率晶体管
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一颗引发行业变革的红外芯片
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