工艺技术-EDA365

研发资源 > 标签 > 工艺技术

|相关技术

查看更多 >>

浅谈LED工艺技术

发布时间：2021-01-05

led的应用面很广.然而芯片本身价格过高和发光效率有待提升的问题.始终困扰着LED照明技术的推广普及.发光效率要提升.就要有效增加取出效率.而LED的发光顏色和发光效率与制作LED的材料和工艺有关.制造LED的材料 ...<全部>

显示技术

|

LED
工艺技术

161

赛普拉斯推出带四个串行外设接口的1Mb nvSRAM

发布时间：2020-09-29

近日.赛普拉斯半导体公司宣布推出一款具有四个串行外设接口(SPI)的1Mb 非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM). 这一新款nvSRAM的四个SPI接口使得该器件可以在尺寸更小的情况下.超越尺寸更大的并行接口器件的数 ...<全部>

技术百科

|

122

LED工艺技术介绍-LED显示屏驱动芯片的应用

发布时间：2020-08-25

1 引言LED显示屏作为一项高科技产品引起了人们的高度重视.采用计算机控制.将光.电融为一体的大屏幕智能显示屏已经应用到很多领域.LED显示屏的像素点采用LED发光二极管.将许多发光二极管以点阵方式排列起来.构 ...<全部>

显示技术

|

126

英特尔移动IC工艺技术不占优势

发布时间：2020-08-21

近日.ARM总裁Warren East表示.[英特尔公司在移动IC的生产工艺上不占优势."[去年这个时候英特尔阵营为他们的制造优势做出很多噱头."East说.[我们一直对此表示怀疑.因为ARM企业系统正研发28nm制程.而英特尔才进 ...<全部>

单片机程序设计

|

45

创建灵敏的MEMS结构的工艺技术介绍

发布时间：2020-07-06

创建灵敏的MEMS结构的工艺技术介绍表面微加工技术可用于创建微机电传感器及激励器系统.它能够通过高适应度的弹性.形成锚定在基底上的悬浮式结构.该工艺流程借鉴了先进的IC技术以及高纵横比干蚀刻和牺牲层(sacrifi ...<全部>

模拟电路设计

|

191

高通与TSMC在28纳米工艺技术上携手合作

发布时间：2020-07-01

美商高通公司(Qualcomm Incorporated)与其专业集成电路制造服务伙伴-TSMC(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company)1/7日共同宣布.双方正在28纳米工艺技术进行密切合作.此先进工艺世代可以更具成本效益 ...<全部>

工艺设备

|

57

安森美半导体推出集成无源元件的IPD2工艺技术

发布时间：2020-07-01

安森美半导体(ON Semiconductor.美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出新的集成无源元件(IPD)工艺技术--IPD2.这新工艺是公司增强既有的HighQ™硅铜(copper on silicon) IPD技术.第二层的铜层厚度仅为5微米(μm).增强了 ...<全部>

工艺设备

|

42

采用适合工艺技术制造硅MEMS振荡器

发布时间：2020-06-24

对MEMS振荡器的已超过四十个年头.然而最近才走向商用化.其中最大的一个障碍是开发一种经济并足够纯净的密闭封装系统.MEMS振荡器必须密封于非常洁净的环境.因为即使极小的表面污染物也会明显改变振荡频率.另外. ...<全部>

其他资讯

|

184

创建灵敏的MEMS结构的工艺技术介绍

发布时间：2020-06-12

创建灵敏的MEMS结构的工艺技术介绍表面微加工技术可用于创建微机电传感器及激励器系统.它能够通过高适应度的弹性.形成锚定在基底上的悬浮式结构.该工艺流程借鉴了先进的IC技术以及高纵横比干蚀刻和牺牲层(sacrif ...<全部>

技术百科

|

MEMS
工艺技术

41

浅谈:几种LED芯片工艺技术

发布时间：2020-06-12

而led的发光顏色和发光效率与制作LED的材料和工艺有关.制造LED的材料不同.可以产生具有不同能量的光子.藉此可以控制LED所发出光的波长.也就是光谱或顏色. 一.透明衬底技术 InGaAlP LED通常是在GaAs衬底 ...<全部>

技术百科

|

114

上一个下一个

一颗引发行业变革的红外芯片

一颗引发行业变革的红外芯片

|相关标签

|热门文章

ADI多路复用器具最低导通电阻

英特尔移动IC工艺技术不占优势

安森美半导体推出集成无源元件的IPD2工艺技术

国家鼓励扶持芯片产业发展投资晶圆厂生产减免所得税

采用适合工艺技术制造硅MEMS振荡器