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用于相变存储器的GeSbTe MOCVD共形淀积

发布时间：2020-10-30

为了达到PCM改进高性能/高密度发展进程中的下一个里程碑.正在采用的一个途径是在截面尺寸10-100nm的高深宽比器件单元中.用共形淀积工艺约束PCM材料(即GST).通过同时寻址多个单元.并以改进热隔离和允许高密度集成 ...<全部>

其他资讯

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实现全新存储器使用模型的新型存储器--相变存储器

发布时间：2020-07-03

从下面的几个重要特性看.相变存储器(PCM)技术均符合当前电子系统对存储器子系统的需求:容量– 因为消费电子.计算机.通信三合一的应用趋势.所有电子系统的代码量都以幂指数的速率增长.数据增长速率甚至更快. ...<全部>

嵌入式开发

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用于相变存储器的GeSbTe MOCVD共形淀积

发布时间：2020-07-02

为了达到PCM改进高性能/高密度发展进程中的下一个里程碑.正在采用的一个途径是在截面尺寸10-100nm的高深宽比器件单元中.用共形淀积工艺约束PCM材料(即GST).通过同时寻址多个单元.并以改进热隔离和允许高密度集成 ...<全部>

模拟电路设计

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用于相变存储器的GeSbTe MOCVD共形淀积

发布时间：2020-06-23

为了达到PCM改进高性能/高密度发展进程中的下一个里程碑.正在采用的一个途径是在截面尺寸10-100nm的高深宽比器件单元中.用共形淀积工艺约束PCM材料(即GST).通过同时寻址多个单元.并以改进热隔离和允许高密度集成 ...<全部>

集成电路

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相变存储器:能实现全新存储器使用模型的新型存储器

发布时间：2020-06-13

从下面的几个重要特性看.相变存储器(PCM)技术均符合当前电子系统对存储器子系统的需求:容量C 因为消费电子.计算机.通信三合一的应用趋势.所有电子系统的代码量都以幂指数的速率增长.数据增长速率甚至更快. ...<全部>

嵌入式开发

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相变存储器--非易失性计算机存储器技术

发布时间：2020-06-13

相变存储器(可缩略表示为PCM.PRAM或PCRAM)是一种新兴的非易失性计算机存储器技术.它可能在将来代替闪存.因为它不仅比闪存速度快得多.更容易缩小到较小尺寸.而且复原性更好.能够实现一亿次以上的擦写 ...<全部>

嵌入式开发

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相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法

发布时间：2020-06-13

BM苏黎世研究中心的科学家们日前表示.已经发现能够可靠地在相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法.该小组采用90nm工艺技术.在200k单元阵列中实现了每存储单元为四层(2位元).并表示已开发出一种编码方法.能克 ...<全部>

嵌入式开发

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相变存储器(PCM)与存储器技术的比较

发布时间：2020-06-13

相变存储器(PCM)是新一代非挥发性存储器技术.透过比较PCM与现有的SLC和MLC NAND快闪存储器以及硬碟驱动器(HDD) 和固态硬碟(SSD)等系统解决方案.*估PCM的相对成本.效能和可靠度.可以了解PCM适用于哪里 ...<全部>

嵌入式开发

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发布时间：2020-06-09

一.[三相变单相".[三相变二相"云云俄国人说,1888年俄罗斯的多勃罗沃里斯基发明了三相系统,第二年又发明了三相变压器.三相感应电动机; 俄国人又说,1891年,世界上第一条 15KV.200KW.长达175KM 的输电线路在 ...<全部>

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